[发明专利]一种抗水解红光LED芯片及其制作方法

权利要求书

1.一种抗水解红光LED芯片，其特征在于，包括发光结构、透明导电层、第一电极、第二电极、保护层和粘附层，所述发光结构包括第一半导体层、设于第一半导体层正面的有源层、设于有源层上的第二半导体层，所述透明导电层设于第二半导体层上，所述第一电极设于第一半导体层的背面，所述第二电极设于透明导电层上，所述粘附层设于第二电极上；

所述保护层附着在发光结构、透明导电层、第二电极和粘附层的表面和侧壁；

所述保护层由SiO₂、SiN_x、Al₂O₃和AlN中的一种或几种制成；

所述保护层的厚度为d，所述发光结构发出的光的波长为λ，d＝(1/4)Kλ，K为整数；

所述粘附层由Ti制成。

2.如权利要求1所述的抗水解红光LED芯片，其特征在于，所述保护层和发光结构的侧壁之间还设有钝化层，所述钝化层将保护层粘附在发光结构的侧壁上，所述钝化层由GaO制成。

3.如权利要求2所述的抗水解红光LED芯片，其特征在于，所述钝化层的厚度为10～30埃。

4.如权利要求1所述的抗水解红光LED芯片，其特征在于，所述发光结构的侧壁具有倾斜角度，所述倾斜角度为45～75度。

5.如权利要求1所述的抗水解红光LED芯片，其特征在于，所述第一电极包括第一Au层、Ge/Au层和第二Au层，所述Ge/Au层设置在第一Au层和第二Au层之间；

所述第二电极包括Cr层、Ti层和第三Au层，所述Cr层设置在发光结构上，所述Ti层设置在Cr层和第三Au层之间。

6.如权利要求5所述的抗水解红光LED芯片，其特征在于，所述第一电极和衬底之间还设有银胶层，所述银胶层由银颗粒和黏合剂制成。

7.如权利要求1所述的抗水解红光LED芯片，其特征在于，所述第一半导体层为N型GaAs层，所述有源层由GaAs和(AlGaAs或InGaAs)制成，所述第二半导体层为P型GaP层。

8.一种抗水解红光LED芯片的制作方法，其特征在于，包括：

一、形成发光结构和透明导电层，所述发光结构包括第一半导体层、设于第一半导体层正面的有源层、设于有源层上的第二半导体层，所述透明导电层设于第二半导体层上；

二、在第一半导体层的背面形成第一电极，在透明导电层上形成第二电极；

三、在第二电极上形成粘附层，所述粘附层由Ti制成；

四、形成保护层，所述保护层附着在发光结构、透明导电层、第二电极和粘附层的表面和侧壁；

所述保护层由SiO₂、SiN_x、Al₂O₃和AlN中的一种或几种制成；

所述保护层的厚度为d，所述发光结构发出的光的波长为λ，d＝(1/4)Kλ，K为整数。

9.如权利要求8所述的抗水解红光LED芯片的制作方法，其特征在于，在形成保护层之前，对发光结构进行切割，以使发光结构的侧壁形成预设的倾斜角度，所述倾斜角度为45～75度。

10.如权利要求9所述的抗水解红光LED芯片的制作方法，其特征在于，在形成倾斜角度之后，形成保护层之前，还包括以下步骤：

将发光结构放入水氧炉内，在温度为500～600℃的条件下活化25～40min，在发光结构的侧壁形成钝化层，所述钝化层由GaO制成；

所述钝化层附着在钝化层上。