[发明专利]碳化硅半导体器件的制作方法

权利要求书

1.一种碳化硅半导体器件的制作方法，其特征在于，包括步骤：

1)提供N型衬底及位于所述N型衬底上的N型漂移层；

2)于所述N型漂移层中形成P型阱区；

3)于所述P型阱区内形成N型源区；

4)于所述N型漂移层上依次形成栅介质层及栅极层，并刻蚀所述栅介质层及栅极层以形成至少横跨于所述N型源区及所述N型漂移层之间的栅介质层及栅极层；

5)形成隔离介质层，所述隔离介质层覆盖于所述N型源区及所述栅极层；

6)于所述隔离介质层中刻蚀出源极通孔，于所述源极通孔及所述隔离介质层上沉积源极金属层，所述源极金属与所述N型源区接触，并延伸覆盖于所述隔离介质层上；

7)刻蚀位于所述隔离介质层上的所述源极金属层，以在所述源极金属层中形成贯穿所述源极金属层的通孔阵列，所述通孔阵列包括多行间隔排布的通孔及多列间隔排布的通孔，以减少所述源极金属层与所述栅极层的重叠面积，所述源极金属层的厚度介于5微米～10微米之间，所述源极金属层包括依次层叠的第一Ti层、Al层、第二Ti层、Ni层及Ag层，其中，所述第一Ti层的厚度介于100～300纳米，所述Al层的厚度介于3微米～6微米，所述第二Ti层的厚度介于100纳米～300纳米，所述Ni层的厚度介于1微米～3微米，所述Ag层的厚度介于300纳米～1000纳米。

2.根据权利要求1所述的碳化硅半导体器件的制作方法，其特征在于：所述隔离介质层的厚度介于500纳米～1500纳米之间。

3.根据权利要求1所述的碳化硅半导体器件的制作方法，其特征在于：所述通孔阵列包括矩形孔阵列及圆形孔阵列中的一种。

4.根据权利要求1所述的碳化硅半导体器件的制作方法，其特征在于：步骤4)采用热氧化方法形成所述栅介质层，所述栅介质层的材料包括二氧化硅，其厚度介于40纳米～100纳米之间。

5.根据权利要求1所述的碳化硅半导体器件的制作方法，其特征在于：还包括步骤：于所述P型阱区中形成P型接触区，所述P型接触区与所述N型源区相连，步骤6)的所述源极通孔还显露所述P型接触区，所述源极金属层与所述P型接触区及所述N型源区接触。