[发明专利]用于制备DLC的镀膜设备及其应用

权利要求书

1.一镀膜设备，用于在基材表面制备DLC薄膜，其特征在于，其中所述镀膜设备包括：

一腔体，其中所述腔体具有一腔室；

一组输送管路；

至少一抽气装置；

至少一抽气管路；

一供电装置，其中所述供电装置包括一脉冲电源；以及

至少一电极支架，其中所述电极支架被设置于所述腔室以供支撑该基材，所述电极支架包括多层间隔的金属板，该基材被支撑于所述金属板，所述电极支架被可导通地连接于所述脉冲电源以作为电极使用，以供所述镀膜设备通过化学气相沉积的方式在该基材的表面制备该DLC薄膜，其中所述输送管路被连通于所述腔室并用于向所述腔室内通入气体原料，其中所述抽气装置通过所述抽气管路连通于所述腔室并对所述腔室进行负压操作和控制所述腔室内的气压。

2.根据权利要求1所述镀膜设备，其中所述腔体具有与所述腔室相通的至少一抽气口、至少一进气口以及至少一进料口，其中所述输送管路包括至少一气源管道、以及至少一反应原料管道，其中所述抽气口被连通于所述抽气管路，其中所述气源管道被连通于所述进气口以用于向所述腔室内通入气体，其中所述反应原料管道被连通于所述进料口以用于向所述腔室内充入反应原料。

3.根据权利要求2所述镀膜设备，其中还包括一氢气管道，其中所述氢气管道和所述反应原料管道被连通于同一所述进料口，或者所述氢气管道和所述反应原料管道被分别连通于两个所述进料口。

4.根据权利要求2所述镀膜设备，所述输送管路进一步包括一掺杂原料管道，其中所述掺杂原料管道被连通于所述进料口以用于向所述腔室内充入掺杂元素反应原料。

5.根据权利要求2所述镀膜设备，其中所述抽气口位于所述腔室的中部，其中所述进气口和所述进料口均位于所述腔室的侧壁。

6.根据权利要求1所述镀膜设备，其中所述抽气装置包括至少一第一真空泵和至少一第二真空泵，其中所述第二真空泵作为所述第一真空泵的前级泵共同协作地通过所述抽气管路对所述腔室进行负压操作并维持所述腔室内的气压处于预设范围内。

7.根据权利要求6所述镀膜设备，其中所述腔室内的气压降至0.01Pa以下。

8.根据权利要求6所述镀膜设备，其中所述腔室内的气压被维持在0.01至100Pa之间。

9.根据权利要求6所述镀膜设备，其中所述第一真空泵被实施为分子泵，其中所述第二真空泵被实施为包括罗茨泵和干泵。

10.根据权利要求6所述镀膜设备，其中所述镀膜设备进一步包括一尾气处理装置，其中所述尾气处理装置被连通于所述抽气管路，以用于处理经所述抽气装置抽出的气体并进行排放。

11.根据权利要求1所述镀膜设备，其中所述供电装置进一步包括一射频电源，所述射频电源被可导通地连接于一电极板，以在所述腔室提供射频电压。

12.根据权利要求1所述镀膜设备，其中所述脉冲电源具有一正极端和一负极端，其中所述负极端被电连接于所述电极支架并提供负压，其中所述腔体接地，并且所述电极支架与所述腔体之间绝缘。

13.根据权利要求1所述镀膜设备，其中所述脉冲电源具有一正极端和一负极端，其中所述脉冲电源的所述正极端和所述负极端分别电连接于所述电极支架的各层金属板，并使所述电极支架的相邻的两个金属板互为正负极。

14.根据权利要求11所述镀膜设备，其中所述射频电源的射频电压的功率为10-800W。

15.根据权利要求11至13中任一所述镀膜设备，其中所述脉冲电源提供脉冲偏压的电压为-100V至-5000V，脉冲频率为20-300KHz，占空比为10％-80％。