[发明专利]在铝互连结构中集成MIM电容的方法及铝互连结构

权利要求书

1.一种在铝互连结构中集成MIM电容的方法，其特征在于，包括：

在第一介质层中形成至少两个第一层铝引线；

在所述第一介质层上形成第二介质层；

打开所述至少两个第一层铝引线中的目标铝引线上方的第二介质层，形成第一沟槽；

在所述第二介质层和所述第一沟槽表面形成电介质层；

打开所述目标铝引线的预定区域和其它第一层铝引线上方的第二介质层和电介质层，使所述目标铝引线的预定区域和所述其它第一层铝引线暴露，形成至少两个第一通孔；

在所述第一通孔和所述第一沟槽中填充金属后，对所述金属进行平坦化处理形成第二层接触通孔和金属层；

其中，所述金属层、所述金属层下方的电介质层和所述目标铝引线形成MIM电容。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在所述第一通孔中填充金属，形成第二层接触通孔，在所述第一沟槽中填充金属，形成金属层之后，还包括：

在所述金属层、所述电介质层以及所述第二层接触通孔上形成铝金属层；

对所述铝金属层的预定区域进行刻蚀，形成第二层铝引线，所述铝金属层的预定区域是所述第二层铝引线之间的区域；

在所述第二层铝引线上沉积第三介质层，对所述第三介质层进行平坦化，使所述第二层铝引线暴露。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述金属层包括钨。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述电介质层包括氮化硅。

5.根据权利要求1至4任一所述的方法，其特征在于，所述第二层接触通孔包括钨。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述第一层铝引线的下方形成有第一层接触通孔，所述第一层接触通孔与所述第一层铝引线连接。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述第一层接触通孔包括钨。

8.一种铝互连结构，其特征在于，包括：

第一介质层，所述第一介质层中形成有至少两个第一层铝引线；

第二介质层，所述第二介质层形成于所述第一介质层上，所述第二介质层中形成有第一沟槽和至少两个第二层接触通孔，所述第一沟槽中依次形成有电介质层和金属层，所述第二层接触通孔之间的第二介质层上形成有电介质层；

其中，所述金属层、所述金属层下方的电介质层和目标铝引线形成MIM电容，所述目标铝引线是与所述金属层下方的电介质层连接，且位于所述金属层下方的电介质层下方的第一层铝引线。

9.根据权利要求8所述的铝互连结构，其特征在于，所述金属层、所述电介质层以及所述第二层接触通孔上还形成有第三介质层；

所述第三介质层中形成有至少两个第二层铝引线，所述至少两个第二层铝引线分别于所述金属层和所述第二层接触通孔连接。

10.根据权利要求9所述的铝互连结构，其特征在于，所述金属层包括钨。

11.根据权利要求10所述的铝互连结构，其特征在于，所述电介质层包括氮化硅。

12.根据权利要求8至11任一所述的铝互连结构，其特征在于，所述第二层接触通孔包括钨。

13.根据权利要求12所述的铝互连结构，所述第一层铝引线的下方形成有第一层接触通孔，所述第一层接触通孔与所述第一层铝引线连接。

14.根据权利要求13所述的铝互连结构，其特征在于，所述第一层接触通孔包括钨。