[发明专利]一种高强度钕铁硼磁体及其制备方法

权利要求书

1.一种高强度钕铁硼磁体，其包括基底材料，所述基底材料由钕铁硼磁体和设于所述钕铁硼磁体表面的金属镀层组成，所述金属镀层包括至少一层金属单质镀层，所述金属单质包括铜、镍、锡中的一种，其特征在于，所述金属镀层上还设有石墨烯薄膜层；

其中，所述石墨烯薄膜层的制备工艺为：在真空条件下，对所述基底材料进行加热后，以高纯石墨作为靶材，利用石墨靶材原位磁控溅射进行所述基底材料表面的石墨烯生长，待所述基底材料冷却后得到石墨烯薄膜层。

2.如权利要求1所述的高强度钕铁硼磁体，其特征在于，所述金属镀层的总厚度为5-20μm。

3.如权利要求1所述的高强度钕铁硼磁体，其特征在于，所述石墨烯薄膜层的厚度为5-10μm。

4.如权利要求1所述的高强度钕铁硼磁体，其特征在于，所述金属单质镀层为电镀层。

5.如权利要求1所述的高强度钕铁硼磁体，其特征在于，所述原位磁控溅射的具体工艺参数为：真空度5×10^-3~5×10^-4Pa，采用的溅射气体为氩气，所述溅射气体的流量为120~300sccm，所述靶材的溅射功率为1~20kw，溅射时间为20~60min，所述加热的温度500~900℃，所述冷却的速度为10~30℃/min。

6.一种如权利要求1-5任一项所述的高强度钕铁硼磁体的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

S1、将钕铁硼磁体的表面预处理清洗后，作为母材基体；

S2、在所述母材基体的表面镀覆金属镀层，得到基底材料，所述金属镀层由至少一层金属单质镀层构成；

S3、在所述基底材料的表面原位溅射形成石墨烯薄膜，得到高强度钕铁硼磁体。

7.如权利要求6所述的制备方法，其特征在于，步骤S1中，所述预处理清洗包括除油、酸洗、水洗、烘干。

8.如权利要求7所述的制备方法，其特征在于，所述除油的步骤为：置于温度为60-70℃、pH值为10~11的NaOH溶液中除油时间为13~15min；

所述酸洗的具体步骤为：置于质量浓度为3%~5%的硝酸，酸洗30~90s；

所述水洗为超声水洗。