[发明专利]针对存储器装置的降级传信在审

专利信息
申请号: 201911318850.5 申请日: 2019-12-19
公开(公告)号: CN111352871A 公开(公告)日: 2020-06-30
发明(设计)人: T·A·梅里特 申请(专利权)人: 美光科技公司
主分类号: G06F13/16 分类号: G06F13/16;G06F13/12
代理公司: 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 代理人: 王龙
地址: 美国爱*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 针对 存储器 装置 降级
【说明书】:

本申请涉及针对存储器装置的降级传信。在一个实例中,根据所描述技术的方法可包含在存储器装置处监视所述存储器装置的操作特性。举例来说,可监视所述存储器装置内的一或多个晶体管的阈值电压。所述存储器装置可至少部分地基于所监视的操作特性识别所述存储器装置的降级。基于识别所述降级,所述存储器装置可向主机装置传信所述存储器装置的所述降级的指示。

交叉参考

专利申请要求由Merritt在2018年12月20日提交的标题为“针对存储器装置的降级传信(DEGRADATION SIGNALING FOR A MEMORY DEVICE)”第16/227,393号美国专利申请的优先权,所述美国专利申请转让给本受让人且以全文引用的方式明确地并入本文中。

技术领域

技术领域涉及针对存储器装置的降级传信。

背景技术

以下大体上涉及一种包含至少一个存储器装置的系统,且更确切地说涉及针对存储器装置的降级传信。

存储器装置广泛用于将信息存储在例如计算机、无线通信装置、相机、数字显示器等各种电子装置中。通过编程存储器装置的不同状态来存储信息。举例来说,二进制装置最经常存储两个状态中的一个,经常由逻辑1或逻辑0表示。在其它装置中,可存储两个以上状态。为了存取所存储的信息,装置的组件可读取或感测存储器装置中的至少一个所存储状态。为了存储信息,装置的组件可写入或编程存储器装置中的状态。

存在各种类型的存储器装置,包含磁性硬盘、随机存取存储器(RAM)、只读存储器(ROM)、动态RAM(DRAM)、同步动态RAM(SDRAM)、铁电RAM(FeRAM)、磁性RAM(MRAM)、电阻式RAM(RRAM)、快闪存储器、相变存储器(PCM)等。存储器装置可为易失性或非易失性的。例如FeRAM等非易失性存储器可维持其所存储的逻辑状态很长一段时间,即使无外部电源存在也是这样。例如DRAM等易失性存储器装置在从外部电源断开时可能丢失其所存储状态。FeRAM可能够实现类似于易失性存储器的密度,但可具有非易失性性质,这是归因于使用铁电电容器作为存储装置。

存储器装置的组件可能降级,这随着时间的过去可能导致存储器装置的操作发生故障。举例来说,存储器装置可能降级到存储器装置不再可以支持信息的准确或可靠的读取、写入、重写或刷新或者不能支持以所要或所设计的速率执行此类存取操作的点。此类故障可能影响主机装置执行所要或所设计功能的能力。期望改进的传信。

发明内容

描述一种方法。所述方法可包含:在存储器装置处监视与存储器装置的一或多个晶体管相关联的阈值电压;在存储器装置处至少部分地基于所述监视识别阈值电压的改变;以及至少部分地基于所述识别向主机装置传信存储器装置的降级的指示。

描述一种设备。所述设备可包含具有多个存储器单元的存储器装置。所述设备还可包含被配置成进行以下操作的电路:监视与存储器装置的一或多个晶体管相关联的阈值电压;至少部分地基于所述监视识别阈值电压的改变;以及至少部分地基于所述识别向主机装置传信存储器装置的降级的指示。

描述另一种方法。所述方法可包含:在主机装置处监视指示存储器装置的一或多个晶体管的阈值电压的传信;至少部分地基于所监视的传信识别阈值电压已改变;以及至少部分地基于所述识别产生与存储器装置的降级相关联的指示。

附图说明

图1示出根据如本文中所公开的实例支持针对存储器装置的降级传信的系统的实例。

图2示出根据如本文中所公开的实例支持针对存储器装置的降级传信的存储器裸片的实例。

图3示出根据如本文中所公开的实例支持针对存储器装置的降级传信的系统的实例。

图4示出根据如本文中所公开的实例支持针对存储器装置的降级传信的电路的实例。

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