[发明专利]图像传感器

权利要求书

1.一种图像传感器，其特征在于，包括：

有机光电转换层，夹置在第一电极与第二电极之间；

接触塞，连接到所述第一电极；

互连层，位于层间绝缘层中且连接到所述接触塞；以及

互连通孔，连接到所述互连层与衬底中的存储节点，

其中所述第一电极的面对所述有机光电转换层的上表面大于所述第一电极的下表面。

2.根据权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，其中所述接触塞包括：

第一接触塞，连接到所述第一电极；

通孔，连接到所述第一接触塞；以及

第二接触塞，连接到所述通孔且局部地穿透所述通孔。

3.根据权利要求2所述的图像传感器，其特征在于，其中所述第一接触塞具有从所述第一电极朝所述通孔减小的宽度。

4.根据权利要求2所述的图像传感器，其特征在于，其中所述第二接触塞具有从所述通孔朝所述互连层减小的宽度。

5.根据权利要求4所述的图像传感器，其特征在于，其中所述第一接触塞具有从所述第一电极朝所述通孔减小的宽度。

6.根据权利要求2所述的图像传感器，其特征在于，其中所述第一电极通过所述第一接触塞、所述通孔、所述第二接触塞、所述互连层以及所述互连通孔电连接到所述存储节点。

7.根据权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，其中所述接触塞穿透所述衬底。

8.根据权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，还包括位于所述第一电极之下的顶盖绝缘层，且

其中所述第一电极的所述下表面与所述顶盖绝缘层的上表面共面。

9.根据权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，其中所述互连通孔具有柱形形状。

10.根据权利要求9所述的图像传感器，其特征在于，其中所述互连通孔设置为与所述衬底的下表面垂直。

11.一种图像传感器，其特征在于，包括：

第一光电二极管，包括第一电极与第二电极；

第二光电二极管，位于所述第一光电二极管之下；

接触塞，连接到所述第一电极；

互连层，位于层间绝缘层中且连接到所述接触塞；以及

互连通孔，连接到所述互连层与衬底中的存储节点，

其中所述第一电极的上表面大于所述第一电极的下表面。

12.根据权利要求11所述的图像传感器，其特征在于，其中所述接触塞包括：

第一接触塞，连接到所述第一电极；

通孔，连接到所述第一接触塞；以及

第二接触塞，连接到所述通孔且延伸到所述通孔中。

13.根据权利要求11所述的图像传感器，其特征在于，其中所述第一光电二极管位于所述衬底的第一表面之上，且所述层间绝缘层位于所述衬底的第二表面之上。

14.根据权利要求11所述的图像传感器，其特征在于，还包括环绕所述第一电极的侧表面的电极绝缘层。

15.根据权利要求14所述的图像传感器，其特征在于，其中所述电极绝缘层具有从其下表面朝其上表面减小的宽度。