[发明专利]辐射探测探头及其制备方法、辐射探测芯片

权利要求书

1.一种辐射探测探头的制备方法，其特征在于，包括步骤：

对各不同三维尺寸的碲锌镉晶体进行模拟仿真；

获取各所述碲锌镉晶体的辐射响应特性；

根据所述辐射响应特性选取特定碲锌镉晶体；其中，所述特定碲锌镉晶体的辐射响应特性对应的性能指标最优；

为所述特定碲锌镉晶体配置第一电极和第二电极，以构成辐射探测探头。

2.根据权利要求1所述的辐射探测探头的制备方法，其特征在于，所述对各不同三维尺寸的碲锌镉晶体进行模拟仿真的过程，包括步骤：

对各不同三维尺寸的碲锌镉晶体进行蒙特卡洛模拟仿真。

3.一种辐射探测探头，其特征在于，包括第一电极、第二电极以及根据权利要求1或2所述的辐射探测探头的制备方法制备的碲锌镉晶体；

其中，所述第一电极设置在所述碲锌镉晶体一侧，并用于接入偏压；所述第二电极设置在所述碲锌镉晶体一侧，并用于接地。

4.根据权利要求3所述的辐射探测探头，其特征在于，包括一个或多个平面结构或栅型结构的碲锌镉晶体。

5.一种辐射探测芯片，其特征在于，包括芯片外壳，以及设置在芯片外壳内的脉冲模式电路、电流模式电路和如权利要求3或4所述的辐射探测探头；

其中，所述脉冲模式电路包括前置放大单元和次级主放大单元；所述前置放大单元的输入端用于在所述辐射探测探头的剂量率小于等于剂量限定值时获取所述辐射探测探头的探测信号；所述前置放大单元的输出端用于通过所述次级主放大单元连接外部处理器；

其中，所述电流模式电路包括所述电流测量单元和所述电流转换单元；所述电流测量单元的输入端用于在所述辐射探测探头的剂量率大于剂量限定值时获取所述辐射探测探头的探测信号，所述电流测量单元的输出端用于通过所述电流转换单元连接外部处理器。

6.根据权利要求5所述的辐射探测芯片，其特征在于，所述脉冲模式电路还包括幅度甄别单元和单稳态触发单元；

所述前置放大单元的输出端用于依次通过所述次级主放大单元、幅度甄别单元和单稳态触发单元连接外部处理器。

7.根据权利要求5所述的辐射探测芯片，其特征在于，还包括设置在芯片外壳内的内置处理器；

所述前置放大单元的输出端通过所述次级主放大单元连接所述内置处理器；所述电流测量单元的输出端通过所述电流转换单元连接内置处理器。

8.根据权利要求5所述的辐射探测芯片，其特征在于，所述前置放大单元包括电荷灵敏放大器，所述次级主放大单元包括成形滤波电路。

9.根据权利要求6所述的辐射探测芯片，其特征在于，所述幅度甄别单元包括甄别器或第一模数转换电路，所述单稳态触发单元包括单稳态触发电路。

10.根据权利要求5所述的辐射探测芯片，其特征在于，所述电流测量单元包括跨阻放大器或电流采样电路；所述电流转换单元可选用第二模数转换电路。

11.根据权利要求5至10任意一项所述的辐射探测芯片，其特征在于，还包括升压模块；

其中，所述升压模块用于接入芯片级电压，并对所述芯片级电压作升压处理，将升压后的所述芯片级电压为所述辐射探测探头提供偏压。

12.根据权利要求5至10任意一项所述的辐射探测芯片，其特征在于，所述芯片外壳包括电磁屏蔽盒。