[发明专利]半导体元器件及其制备方法、电子装置在审
| 申请号： | 201911311098.1 | 申请日： | 2019-12-18 |
| 公开（公告）号： | CN111354679A | 公开（公告）日： | 2020-06-30 |
| 发明（设计）人： | 崔基雄;李河圣;金成基 | 申请（专利权）人： | 夏泰鑫半导体（青岛）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/532 |
| 代理公司： | 深圳市赛恩倍吉知识产权代理有限公司 44334 | 代理人： | 饶婕;龚慧惠 |
| 地址： | 266000 山东省青岛市黄岛区*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 元器件 及其 制备 方法 电子 装置 | ||
1.一种半导体元器件的制造方法，其包括以下步骤：
在半导体基体上沉积多晶硅以形成沉积层；
对所述沉积层进行化学机械抛光处理或回蚀处理；
对上述处理后的沉积层进行氢注入或/及氢气等离子体处理；以及
在600℃～900℃下对上述沉积层进行退火处理，从而形成多晶硅接触层。
2.如权利要求1所述的半导体元器件的制造方法，其特征在于，所述退火处理的时间大于或等于30分钟。
3.如权利要求1所述的半导体元器件的制造方法，其特征在于，当对上述处理后的沉积层进行氢注入或/及氢气等离子体处理时，具体为：
对上述处理后的沉积层进行氢注入处理；以及
对上述氢注入处理后的沉积层进行氢气等离子体处理。
4.如权利要求1所述的半导体元器件的制造方法，其特征在于，当对上述处理后的沉积层进行氢注入或/及氢气等离子体处理时，具体为：
对上述处理后的沉积层进行氢气等离子体处理；以及
对上述氢气等离子体处理后的沉积层进行氢注入处理。
5.如权利要求1所述的半导体元器件的制造方法，其特征在于，所述退火处理在真空条件下进行。
6.如权利要求1所述的半导体元器件的制造方法，其特征在于，所述退火处理在氢气气氛下进行。
7.如权利要求1所述的半导体元器件的制造方法，其特征在于，所述氢气等离子体处理的流速为1000sccm至2000sccm，压力为10mTorr至100mTorr；以及/或所述氢注入处理时的氢原子注入量为1×1013/cm2及其以上，加速能量为3MeV及其以下。
8.如权利要求1所述的半导体元器件的制造方法，其特征在于，当所述半导体元器件的制造方法包含氢气等离子体处理时，所述氢气等离子体处理的时间为2分钟至4.5分钟。
9.一种半导体元器件，其特征在于，所述半导体元器件通过权利要求1-8任意一项所述的半导体元器件的制造方法制得。
10.一种电子装置，其特征在于，所述电子装置包括如权利要求9所述的半导体元器件。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
