[发明专利]薄膜材料以及薄膜材料的制备方法有效

专利信息
申请号: 201911310621.9 申请日: 2019-12-18
公开(公告)号: CN111072961B 公开(公告)日: 2021-11-02
发明(设计)人: 汪亚民 申请(专利权)人: 武汉华星光电半导体显示技术有限公司
主分类号: C08G73/10 分类号: C08G73/10;C08J5/18;C08L79/08
代理公司: 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 代理人: 张晓薇
地址: 430079 湖北省武汉市东湖新技术*** 国省代码: 湖北;42
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摘要:
搜索关键词: 薄膜 材料 以及 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种薄膜材料的制备方法,其特征在于,包括:

S1、在第一容器中,化合物A和第一反应物反应形成化合物B;

S2、在第二容器中,所述化合物B和第二反应物反应形成化合物C;

S3、在第三容器中,所述化合物C和第三反应物反应形成聚合物D;

S4、在第四容器中,所述聚合物D通过反应得到包括聚合物F或包括聚合物H的第二混合物;

S5、包括所述聚合物F的溶液或包括所述聚合物H的溶液在基板上形成聚合物F或聚合物H;

其中,所述化合物A的结构通式为:

所述聚合物F的结构通式为:

所述聚合物H的结构通式为:

其中,R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、R8为氢原子或脂肪烷烃基中的一种,R9为含氟基团。

2.根据权利要求1所述的薄膜材料的制备方法,其特征在于,步骤S1包括:

S11、提供一第一容器,所述第一容器包括溶解有所述化合物A的第一溶剂;

S12、将所述第一反应物逐滴加入到所述第一容器中,在第一反应温度下,经第一反应时间,形成化合物B1;或者,

将所述第一反应物一次性加入到所述第一容器中,在第一反应温度下,经第一反应时间,形成化合物B2;

其中,所述化合物B1的结构通式为:

所述化合物B2的结构通式为:

所述第一反应物至少包括亚硝酸钠。

3.根据权利要求2所述的薄膜材料的制备方法,其特征在于,步骤S1还包括:

S13、在第一容器中加入第一体积的第一分离剂,充分搅拌并静置;

S14、在第一容器中加入第二体积的第二分离剂,萃取、收集有机层并旋蒸,得到包括所述化合物B1或包括所述化合物B2的第一粗产物;

S15、所述第一粗产物经第一淋洗剂淋洗后旋蒸,得到纯化后的所述化合物B1或所述化合物B2。

4.根据权利要求1所述的薄膜材料的制备方法,其特征在于,步骤S2包括:

S21、提供一第二容器,所述第二容器包括溶解有所述化合物B的第二溶剂;

S22、在第二反应温度下,将所述第二反应物缓慢加入到所述第二容器中;

S23、在第三反应温度下,经第二反应时间后停止所述第二容器中的反应,得到包括化合物C1或包括化合物C2的第一混合物;

所述化合物C1的结构通式为:

所述化合物C2的结构通式为:

其中,所述第二反应物至少包括盐酸联氨。

5.根据权利要求4所述的薄膜材料的制备方法,其特征在于,步骤S2还包括:

S24、所述第一混合物旋蒸得到第二粗产物,所述第二粗产物经第二淋洗剂淋洗后得到的滤液进行旋蒸,得到纯化后的所述化合物C1或所述化合物C2。

6.根据权利要求1所述的薄膜材料的制备方法,其特征在于,步骤S3包括:

S31、提供一第三容器,所述第三容器包括溶解有所述化合物C的第三溶剂;

S32、所述第三反应物加入到所述第三容器中,在第四反应温度下,经第三反应时间,形成聚合物D1或聚合物D2;

其中,所述聚合物D1的结构通式为:

所述聚合物D2的结构通式为:

所述第三反应物为含氟二酸酐类化合物。

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