[发明专利]薄膜材料以及薄膜材料的制备方法有效
申请号: | 201911310621.9 | 申请日: | 2019-12-18 |
公开(公告)号: | CN111072961B | 公开(公告)日: | 2021-11-02 |
发明(设计)人: | 汪亚民 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | C08G73/10 | 分类号: | C08G73/10;C08J5/18;C08L79/08 |
代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 张晓薇 |
地址: | 430079 湖北省武汉市东湖新技术*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 薄膜 材料 以及 制备 方法 | ||
1.一种薄膜材料的制备方法,其特征在于,包括:
S1、在第一容器中,化合物A和第一反应物反应形成化合物B;
S2、在第二容器中,所述化合物B和第二反应物反应形成化合物C;
S3、在第三容器中,所述化合物C和第三反应物反应形成聚合物D;
S4、在第四容器中,所述聚合物D通过反应得到包括聚合物F或包括聚合物H的第二混合物;
S5、包括所述聚合物F的溶液或包括所述聚合物H的溶液在基板上形成聚合物F或聚合物H;
其中,所述化合物A的结构通式为:
所述聚合物F的结构通式为:
所述聚合物H的结构通式为:
其中,R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、R8为氢原子或脂肪烷烃基中的一种,R9为含氟基团。
2.根据权利要求1所述的薄膜材料的制备方法,其特征在于,步骤S1包括:
S11、提供一第一容器,所述第一容器包括溶解有所述化合物A的第一溶剂;
S12、将所述第一反应物逐滴加入到所述第一容器中,在第一反应温度下,经第一反应时间,形成化合物B1;或者,
将所述第一反应物一次性加入到所述第一容器中,在第一反应温度下,经第一反应时间,形成化合物B2;
其中,所述化合物B1的结构通式为:
所述化合物B2的结构通式为:
所述第一反应物至少包括亚硝酸钠。
3.根据权利要求2所述的薄膜材料的制备方法,其特征在于,步骤S1还包括:
S13、在第一容器中加入第一体积的第一分离剂,充分搅拌并静置;
S14、在第一容器中加入第二体积的第二分离剂,萃取、收集有机层并旋蒸,得到包括所述化合物B1或包括所述化合物B2的第一粗产物;
S15、所述第一粗产物经第一淋洗剂淋洗后旋蒸,得到纯化后的所述化合物B1或所述化合物B2。
4.根据权利要求1所述的薄膜材料的制备方法,其特征在于,步骤S2包括:
S21、提供一第二容器,所述第二容器包括溶解有所述化合物B的第二溶剂;
S22、在第二反应温度下,将所述第二反应物缓慢加入到所述第二容器中;
S23、在第三反应温度下,经第二反应时间后停止所述第二容器中的反应,得到包括化合物C1或包括化合物C2的第一混合物;
所述化合物C1的结构通式为:
所述化合物C2的结构通式为:
其中,所述第二反应物至少包括盐酸联氨。
5.根据权利要求4所述的薄膜材料的制备方法,其特征在于,步骤S2还包括:
S24、所述第一混合物旋蒸得到第二粗产物,所述第二粗产物经第二淋洗剂淋洗后得到的滤液进行旋蒸,得到纯化后的所述化合物C1或所述化合物C2。
6.根据权利要求1所述的薄膜材料的制备方法,其特征在于,步骤S3包括:
S31、提供一第三容器,所述第三容器包括溶解有所述化合物C的第三溶剂;
S32、所述第三反应物加入到所述第三容器中,在第四反应温度下,经第三反应时间,形成聚合物D1或聚合物D2;
其中,所述聚合物D1的结构通式为:
所述聚合物D2的结构通式为:
所述第三反应物为含氟二酸酐类化合物。
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