[发明专利]TFT阵列基板及其制备方法、OLED触控显示装置在审
申请号: | 201911309373.6 | 申请日: | 2019-12-18 |
公开(公告)号: | CN111128874A | 公开(公告)日: | 2020-05-08 |
发明(设计)人: | 欧阳齐;金武谦 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L21/77 | 分类号: | H01L21/77;H01L27/12;H01L27/32 |
代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 张晓薇 |
地址: | 430079 湖北省武汉市东湖新技术*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | tft 阵列 及其 制备 方法 oled 显示装置 | ||
本申请公开一种TFT阵列基板及其制备方法、OLED触控显示装置,通过将LTPO和FOD两种工艺在一次阵列制程中制作,利用LTPO驱动OLED发光,在LTPO基板上同时制作薄膜光学指纹传感器实现屏下指纹识别,其中氧化物TFT的栅极和LTPS TFT的栅极或源/漏极同时制作,在制作LTPS TFT的源/漏极或栅极的同时,在氧化物TFT的两侧制作遮蔽层,可以节省光罩成本,并降低光照对氧化物TFT的影响。
技术领域
本申请涉及显示技术领域,尤其涉及一种TFT阵列基板及其制备方法、OLED触控显示装置。
背景技术
有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode,以下简称OLED)显示技术与传统的液晶显示器(Liquid Crystal Display,以下简称LCD)不同,OLED无需背光灯,而是采用有机发光材料,当有电流通过时,这些有机发光材料就会发光。通过采用非常薄的有机材料涂层,使得OLED显示屏幕可以做得更轻更薄,且OLED显示屏幕可视角度更大,并且能够显著节省电能。
低温多晶氧化物薄膜晶体管(Low Temperature Poly-Oxide TFT,以下简称LTPOTFT)技术是近年来新兴的薄膜晶体管技术。从理论上讲,LTPO TFT相比传统的低温多晶硅薄膜晶体管(Low Temperature Poly-Silicon TFT,以下简称LTPS TFT)技术而言,可以节省5-15%的电量,让整块显示屏幕的功耗更低。
随着全面屏的发展,屏下指纹(Fingerprint sensor On Display,以下简称FOD)得到市场的追捧。FOD主要有光学屏下指纹,超声波屏下指纹和薄膜光学指纹传感器技术(即采用TFT方案)。TFT方案技术原理为:指纹信息经由盖板玻璃反射后被像素的光敏器件获取,光子转换为电信号后通过设计的16位模拟/数字电路进行数据分析,再由图像处理技术处理后输出清晰完整的指纹图像。
随着人们对显示器件的要求越来越高,集成了LTPO和FOD的氧化物薄膜晶体管的设计及应用越来越搜到重视,其可以同时实现显示器件能耗的降低及屏下指纹识别。但是,研究中发现,虽然氧化物半导体对可见光透过率较高,但是在光照条件下氧化物TFT器件特性将发生退化。
因此,如何同时实现显示器件能耗的降低及屏下指纹识别,提高屏幕的屏占比,且降低光照对氧化物TFT器件特性的影响,成为现有显示器件技术发展需要改进的技术问题。
发明内容
本申请的目的在于,针对现有技术存在的问题,提供一种TFT阵列基板及其制备方法、OLED触控显示装置,可以同时实现显示器件能耗的降低及屏下指纹识别,提高屏幕的屏占比,且降低光照对氧化物TFT器件特性的影响。
为实现上述目的,本申请提供了一种TFT阵列基板的制备方法,包括如下步骤:提供一衬底,所述衬底具有多个像素驱动区及至少一屏下指纹区;在所述像素驱动区形成一第一低温多晶硅薄膜晶体管、一第一氧化物薄膜晶体管及一遮蔽层,其中,所述第一氧化物薄膜晶体管的栅极与所述第一低温多晶硅薄膜晶体管的源/漏极或栅极通过一次构图工艺形成,所述遮蔽层形成于所述第一氧化物薄膜晶体管的两侧;以及在所述屏下指纹区形成一第三薄膜晶体管;其中,所述第一低温多晶硅薄膜晶体管用于驱动像素发光,所述第一氧化物薄膜晶体管用于进行开关控制,所述遮蔽层用于对所述第一氧化物薄膜晶体管进行遮光,所述第三薄膜晶体管用于进行指纹识别。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造