[发明专利]TFT阵列基板及其制备方法、OLED触控显示装置在审

专利信息
申请号: 201911309373.6 申请日: 2019-12-18
公开(公告)号: CN111128874A 公开(公告)日: 2020-05-08
发明(设计)人: 欧阳齐;金武谦 申请(专利权)人: 武汉华星光电半导体显示技术有限公司
主分类号: H01L21/77 分类号: H01L21/77;H01L27/12;H01L27/32
代理公司: 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 代理人: 张晓薇
地址: 430079 湖北省武汉市东湖新技术*** 国省代码: 湖北;42
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: tft 阵列 及其 制备 方法 oled 显示装置
【说明书】:

本申请公开一种TFT阵列基板及其制备方法、OLED触控显示装置,通过将LTPO和FOD两种工艺在一次阵列制程中制作,利用LTPO驱动OLED发光,在LTPO基板上同时制作薄膜光学指纹传感器实现屏下指纹识别,其中氧化物TFT的栅极和LTPS TFT的栅极或源/漏极同时制作,在制作LTPS TFT的源/漏极或栅极的同时,在氧化物TFT的两侧制作遮蔽层,可以节省光罩成本,并降低光照对氧化物TFT的影响。

技术领域

本申请涉及显示技术领域,尤其涉及一种TFT阵列基板及其制备方法、OLED触控显示装置。

背景技术

有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode,以下简称OLED)显示技术与传统的液晶显示器(Liquid Crystal Display,以下简称LCD)不同,OLED无需背光灯,而是采用有机发光材料,当有电流通过时,这些有机发光材料就会发光。通过采用非常薄的有机材料涂层,使得OLED显示屏幕可以做得更轻更薄,且OLED显示屏幕可视角度更大,并且能够显著节省电能。

低温多晶氧化物薄膜晶体管(Low Temperature Poly-Oxide TFT,以下简称LTPOTFT)技术是近年来新兴的薄膜晶体管技术。从理论上讲,LTPO TFT相比传统的低温多晶硅薄膜晶体管(Low Temperature Poly-Silicon TFT,以下简称LTPS TFT)技术而言,可以节省5-15%的电量,让整块显示屏幕的功耗更低。

随着全面屏的发展,屏下指纹(Fingerprint sensor On Display,以下简称FOD)得到市场的追捧。FOD主要有光学屏下指纹,超声波屏下指纹和薄膜光学指纹传感器技术(即采用TFT方案)。TFT方案技术原理为:指纹信息经由盖板玻璃反射后被像素的光敏器件获取,光子转换为电信号后通过设计的16位模拟/数字电路进行数据分析,再由图像处理技术处理后输出清晰完整的指纹图像。

随着人们对显示器件的要求越来越高,集成了LTPO和FOD的氧化物薄膜晶体管的设计及应用越来越搜到重视,其可以同时实现显示器件能耗的降低及屏下指纹识别。但是,研究中发现,虽然氧化物半导体对可见光透过率较高,但是在光照条件下氧化物TFT器件特性将发生退化。

因此,如何同时实现显示器件能耗的降低及屏下指纹识别,提高屏幕的屏占比,且降低光照对氧化物TFT器件特性的影响,成为现有显示器件技术发展需要改进的技术问题。

发明内容

本申请的目的在于,针对现有技术存在的问题,提供一种TFT阵列基板及其制备方法、OLED触控显示装置,可以同时实现显示器件能耗的降低及屏下指纹识别,提高屏幕的屏占比,且降低光照对氧化物TFT器件特性的影响。

为实现上述目的,本申请提供了一种TFT阵列基板的制备方法,包括如下步骤:提供一衬底,所述衬底具有多个像素驱动区及至少一屏下指纹区;在所述像素驱动区形成一第一低温多晶硅薄膜晶体管、一第一氧化物薄膜晶体管及一遮蔽层,其中,所述第一氧化物薄膜晶体管的栅极与所述第一低温多晶硅薄膜晶体管的源/漏极或栅极通过一次构图工艺形成,所述遮蔽层形成于所述第一氧化物薄膜晶体管的两侧;以及在所述屏下指纹区形成一第三薄膜晶体管;其中,所述第一低温多晶硅薄膜晶体管用于驱动像素发光,所述第一氧化物薄膜晶体管用于进行开关控制,所述遮蔽层用于对所述第一氧化物薄膜晶体管进行遮光,所述第三薄膜晶体管用于进行指纹识别。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于武汉华星光电半导体显示技术有限公司,未经武汉华星光电半导体显示技术有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201911309373.6/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top