[发明专利]薄膜晶体管阵列基板及其制备方法、OLED触控显示装置在审
申请号: | 201911308475.6 | 申请日: | 2019-12-18 |
公开(公告)号: | CN111129091A | 公开(公告)日: | 2020-05-08 |
发明(设计)人: | 欧阳齐;金武谦 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 张晓薇 |
地址: | 430079 湖北省武汉市东湖新技术*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 薄膜晶体管 阵列 及其 制备 方法 oled 显示装置 | ||
本申请公开了一种薄膜晶体管阵列基板及其制备方法、OLED触控显示装置,通过将LTPO和FOD两种工艺在一次阵列制程中制作,利用LTPO驱动OLED发光,在LTPO基板上同时制作薄膜光学指纹传感器实现屏下指纹识别,其中氧化物TFT的栅极和LTPS TFT的栅极或源/漏极同时制作,可以节省光罩成本,在实现能耗降低的同时,节省工艺成本,且可以实现屏下指纹,提高屏幕的屏占比。
技术领域
本发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种薄膜晶体管阵列基板及其制备方法、OLED触控显示装置。
背景技术
有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode,以下简称OLED)显示技术与传统的液晶显示器(Liquid Crystal Display,以下简称LCD)不同,OLED无需背光灯,而是采用有机发光材料,当有电流通过时,这些有机发光材料就会发光。通过采用非常薄的有机材料涂层,使得OLED显示屏幕可以做得更轻更薄,且OLED显示屏幕可视角度更大,并且能够显著节省电能。
低温多晶氧化物薄膜晶体管(Low Temperature Poly-Oxide TFT,以下简称LTPOTFT)技术是近年来新兴的薄膜晶体管技术。从理论上讲,LTPO TFT相比传统的低温多晶硅薄膜晶体管(Low Temperature Poly-Silicon TFT,以下简称LTPS TFT)技术而言,可以节省5-15%的电量,让整块显示屏幕的功耗更低。但是,目前采用LTPO技术的构图工艺次数较多,因此工艺成本较高。
随着全面屏的发展,屏下指纹(Fingerprint sensor On Display,以下简称FOD)得到市场的追捧。FOD主要有光学屏下指纹,超声波屏下指纹和薄膜光学指纹传感器技术(即采用TFT方案)。TFT方案技术原理为:指纹信息经由盖板玻璃反射后被像素的光敏器件获取,光子转换为电信号后通过设计的16位模拟/数字电路进行数据分析,再由图像处理技术处理后输出清晰完整的指纹图像。
随着人们对显示器件的要求越来越高,如何在节省工艺成本同时,实现显示器件能耗的降低,同时也可以实现屏下指纹,提高屏幕的屏占比,成为现有显示器件技术发展需要改进的技术问题。
发明内容
本发明的目的在于,针对现有技术存在的问题,提供一种薄膜晶体管阵列基板及其制备方法、OLED触控显示装置,可以在实现能耗降低的同时,节省工艺成本,且可以实现屏下指纹,提高屏幕的屏占比。
为实现上述目的,本发明提供了一种薄膜晶体管阵列基板的制备方法,包括如下步骤:提供一衬底,所述衬底具有多个像素驱动区及至少一屏下指纹区;在所述像素驱动区形成一第一低温多晶硅薄膜晶体管及一第一氧化物薄膜晶体管,其中,所述第一氧化物薄膜晶体管的栅极与所述第一低温多晶硅薄膜晶体管的源/漏极或栅极通过一次构图工艺形成;以及在所述屏下指纹区形成一第三薄膜晶体管;其中,所述第一低温多晶硅薄膜晶体管用于驱动像素发光,所述第一氧化物薄膜晶体管用于进行开关控制,所述第三薄膜晶体管用于进行指纹识别。
为实现上述目的,本发明还提供了一种薄膜晶体管阵列基板,包括:一衬底,所述衬底具有多个像素驱动区及至少一屏下指纹区;一第一低温多晶硅薄膜晶体管,设置于所述像素驱动区,所述第一低温多晶硅薄膜晶体管用于驱动像素发光;一第一氧化物薄膜晶体管,设置于所述像素驱动区,所述第一氧化物薄膜晶体管用于进行开关控制,其中,所述第一氧化物薄膜晶体管的栅极与所述第一低温多晶硅薄膜晶体管的源/漏极或栅极同层;以及一第三薄膜晶体管,设置于所述屏下指纹区,所述第三薄膜晶体管用于进行指纹识别。
为实现上述目的,本发明还提供了一种OLED触控显示装置,包括:一薄膜晶体管阵列基板,所述薄膜晶体管阵列基板采用本发明所述的薄膜晶体管阵列基板;一有机发光层,设置于所述薄膜晶体管阵列基板上;一阴极层,设置于所述有机发光层上;一薄膜封装层,设置于所述阴极层上;一触控层,设置于所述薄膜封装层上;一偏光片,设置于所述触控层上;以及一盖板,设置于所述偏光片上。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的