[发明专利]晶体生长装置

权利要求书

1.一种晶体生长装置，包括坩埚和包覆在所述坩埚的外侧的保温罩，其特征在于，所述晶体生长装置还包括隔离罩；

所述隔离罩沿所述坩埚的侧壁的周向环设在所述坩埚的侧壁与所述保温罩之间；

所述隔离罩的材质为钼；或，所述隔离罩包括石墨基层以及设置在所述石墨基层的外表面的加强层，所述加强层的材质为碳化钽、碳化铌或碳化钨；

所述保温罩设置在所述坩埚的侧壁的周向的外侧，所述保温罩的顶部设置有顶部保温层，所述保温罩的底部设置有底部保温层，所述顶部保温层包括多层上下依次叠放的碳毡；所述隔离罩的底部与所述底部保温层抵接，并在所述隔离罩的底部的内侧设置有第二保温层；

所述隔离罩的底部向内凸出有定位环，所述坩埚设置在所述定位环内，所述定位环使所述隔离罩的位于定位环上方的部分与所述坩埚的侧壁间隔设置；所述定位环是所述隔离罩的一部分，所述定位环的材质与所述隔离罩相同，所述定位环使所述坩埚居中，并使所述坩埚的底部与所述隔离罩紧密接触。

2.根据权利要求1所述的晶体生长装置，其特征在于，所述坩埚包括坩埚本体以及坩埚盖；

所述隔离罩的顶部设置有盖体，所述盖体用于设置在坩埚盖的上方，且所述盖体对应所述坩埚盖的中心部位设置有通孔。

3.根据权利要求2所述的晶体生长装置，其特征在于，所述盖体沿坩埚的顶部到底部的方向呈面向所述通孔向内逐级收缩的多级台阶设置；

所述盖体的最上层的台阶的外侧面与所述隔离罩抵接，所述盖体的最上层的台阶与所述坩埚盖之间设置有第一保温层，所述第一保温层呈与所述盖体的外侧面匹配的台阶型。

4.根据权利要求3所述的晶体生长装置，其特征在于，所述坩埚本体的内壁的上段连接有聚气载物台，所述第一保温层以及坩埚盖放置在所述聚气载物台的上方；

所述聚气载物台设置有自上而下的聚气通道，所述聚气载物台的中下部面向所述聚气通道向内凸出有载物台，所述载物台沿所述坩埚的底部至顶部的方向向内逐渐增大，以使所述聚气通道沿坩埚的底部至顶部渐缩。

5.根据权利要求4所述的晶体生长装置，其特征在于，所述坩埚包括坩埚本体以及坩埚盖；

所述坩埚盖面向所述坩埚本体的内部向下凸出有安装部，所述安装部上安装有籽晶罩，所述籽晶罩包括环形罩体，所述环形罩体的下端向内凸出有卡台，所述卡台用于安装籽晶，所述环形罩体的上端与所述安装部可拆卸连接；

所述安装部的周向边缘设置有环状凸起，所述卡台设置在所述环状凸起的下方。

6.根据权利要求5所述的晶体生长装置，其特征在于，所述环形罩体与所述安装部通过柱型件连接，所述安装部上设置沿其周向设置有多个第一安装孔，所述环形罩体上设置有多个第二安装孔，所述柱型件穿过所述第一安装孔和所述第二安装孔。

7.根据权利要求6所述的晶体生长装置，其特征在于，在所述安装部的外侧，所述坩埚盖设置有沿所述坩埚的底部向顶部的方向贯通的排气孔，所述载物台设置有沿所述坩埚的底部向顶部的方向贯通的排气孔；

和/或，所述环形罩体和所述安装部上对齐设置有沿径向贯通的排气孔。