[发明专利]多维倍增电极检测器有效
| 申请号: | 201911307830.8 | 申请日: | 2019-12-17 |
| 公开(公告)号: | CN111341641B | 公开(公告)日: | 2023-01-03 |
| 发明(设计)人: | J·W·史密斯;S·T·夸姆比 | 申请(专利权)人: | 萨默费尼根有限公司 |
| 主分类号: | H01J49/06 | 分类号: | H01J49/06;H01J49/26 |
| 代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 陈洁;周全 |
| 地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 多维 倍增 电极 检测器 | ||
1.一种质谱仪,其包括:
四极杆,包括一对y杆和一对x杆,所述四极杆配置成传送离子流,所述离子流包括在由a和q值限定的稳定性边界内的一定丰度的一个或多个离子种类;
检测器,其配置成检测所述丰度的离子的空间和时间性质,其中所述检测器包括多个倍增电极,每个倍增电极布置成使得其被与所述离子流有已知空间关系的离子撞击,并且所述检测器还包括多个带电粒子检测器,所述多个带电粒子检测器中的每个带电粒子检测器与所述多个倍增电极中的一个或多个倍增电极相关联;以及
处理构件,其配置成记录和存储所述检测器中的所述倍增电极对所述丰度的离子中的离子的检测模式,
其中:
所述检测器中的所述多个倍增电极是三个倍增电极,
所述三个倍增电极中的第一倍增电极布置成被所述离子流中心中的离子撞击,
第二倍增电极配置成被所述离子流的y+部分或所述离子流的x+部分中的离子撞击,以及
第三倍增电极配置成被所述离子流的y-部分或所述离子流的x-部分中的离子撞击,
其中所述离子流的所述y+部分、y-部分、x+部分和x-部分与所述四极杆的x杆对和y杆对相关。
2.一种质谱仪,其包括:
四极杆,包括一对y杆和一对x杆,所述四极杆配置成传送离子流,所述离子流包括在由a和q值限定的稳定性边界内的一定丰度的一个或多个离子种类;
检测器,其配置成检测所述丰度的离子的空间和时间性质,其中所述检测器包括多个倍增电极,每个倍增电极布置成使得其被与所述离子流有已知空间关系的离子撞击,并且所述检测器还包括多个带电粒子检测器,所述多个带电粒子检测器中的每个带电粒子检测器与所述多个倍增电极中的一个或多个倍增电极相关联;以及
处理构件,其配置成记录和存储所述检测器中的所述倍增电极对所述丰度的离子中的离子的检测模式,
其中:
所述检测器中的所述多个倍增电极是五个倍增电极,
所述五个倍增电极中的第一倍增电极布置成被所述离子流中心中的离子撞击,
第二倍增电极配置成被所述离子流的y+部分中的离子撞击,
第三倍增电极配置成被所述离子流的y-部分中的离子撞击,
第四倍增电极配置成被所述离子流的x+部分中的离子撞击,以及
第五倍增电极配置成被所述离子流的x-部分中的离子撞击,
其中所述离子流的所述y+部分、y-部分、x+部分和x-部分与所述四极杆的x杆对和y杆对相关。
3.根据权利要求2所述的质谱仪,其中所述第二倍增电极、第三倍增电极、第四倍增电极和第五倍增电极以带有与所述第一倍增电极相关联的孔的方锥形形式布置。
4.根据权利要求2所述的质谱仪,其中所述五个倍增电极中的每个倍增电极与带电粒子检测器相关联。
5.根据权利要求1或2所述的质谱仪,其中所述带电粒子检测器包含电子倍增器、光电倍增器、硅光电倍增器、雪崩光电二极管,或其任何组合。
6.根据权利要求1或2所述的质谱仪,其中所述稳定性边界由R限定,其中R=(稳定宽度的中心)/(稳定AMU宽度),并且R的值包括约10到约1000的稳定性传输窗口。
7.根据权利要求1或2所述的质谱仪,其中所述质谱仪配置成以全扫描模式、产物离子扫描模式、单离子监测模式、单反应监测模式或其任何组合来操作。
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