[发明专利]一种新型DRAM集成电路的结构

权利要求书

1.一种新型DRAM集成电路的结构，由一种新型MOS管结构构成，所述新型MOS管结构包括源极、漏极和栅电极；所述新型MOS管结构为纵向结构，在纵向上分别设置有源极区域、半导体沟道区域以及漏极区域，在水平方向上四周环绕着栅介质层，栅介质层外三面环绕多晶硅层作为栅极，另一面为金属层，和漏极组成电容的两极，

其特征在于，

所述半导体沟道区域为重掺杂半导体区域，在半导体沟道区域和漏极区域之间，设置有轻掺杂漂移区；

所述MOS管为NMOS管，半导体沟道区域为P+重掺杂区域，轻掺杂漂移区为N-轻掺杂区域；

或者，所述MOS管为PMOS管，半导体沟道区域为N+重掺杂区域，轻掺杂漂移区为P-轻掺杂区域。

2.如权利要求1所述的新型DRAM集成电路的结构，其特征在于，所述源极区域和漏极区域均为重掺杂区域。

3.如权利要求1所述的新型DRAM集成电路的结构，其特征在于，所述栅介质层为SiO₂或HfO₂。

4.如权利要求1所述的新型DRAM集成电路的结构，其特征在于，所述源极区域为单晶Ge、多晶Ge、赝晶Ge、SiGe、碲镉汞或InP。

5.如权利要求1所述的新型DRAM集成电路的结构，其特征在于，半导体沟道区域材料为Si材料，源极区域为窄禁带半导体材料；或者，半导体沟道区域材料为宽禁带半导体材料，源极区域为窄禁带半导体材料；或者，半导体沟道区域材料为宽禁带半导体材料，源极区域为Si材料。