[发明专利]一种发光二极管

权利要求书

1.一种发光二极管，其特征在于，所述发光二极管包括：

衬底；

发光外延层，包括依次层叠设置于所述衬底上的第一半导体层、有源发光层以及第二半导体层；

第一电极和多个第二电极，所述第一电极与所述第一半导体层和第二半导体层中的一个电连接，所述多个第二电极与所述第一半导体层和第二半导体层中的另一个电连接；

其中，所述发光二极管为垂直发光二极管或倒装发光二极管；所述第一电极为面电极，所述多个第二电极在所述衬底上的投影落在所述第一电极在所述衬底上的投影内部且彼此间隔设置，所述发光外延层的至少部分发光区域内的任意一发光点在所述衬底上的投影与相邻的两个所述第二电极在所述衬底上的投影的最短间隔距离之和不大于120微米，所述发光外延层的有效发光面积与总面积之间的比例不大于72％，且所述第一半导体层和所述第二半导体层均是采用基于氮化铟镓体系的材料。

2.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述发光二极管在工作时的峰值波长介于400nm-440nm、440nm-480nm、480nm-540nm、540nm-560nm、560nm-600nm、600nm-700nm或700nm-850nm。

3.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述最短间隔距离之和进一步介于80微米-120微米之间，所述发光外延层的有效发光面积与总面积之间的比例介于65％-72％之间；

或者，所述最短间隔距离之和进一步介于60微米-80微米之间，所述发光外延层的有效发光面积与总面积之间的比例介于60％-65％之间；

或者，所述最短间隔距离之和进一步介于30微米-60微米之间，所述发光外延层的有效发光面积与总面积之间的比例介于45％-60％之间。

4.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，

所述最短间隔距离之和进一步小于20微米，所述发光外延层的有效发光面积与总面积之间的比例小于38％；

所述最短间隔距离之和进一步介于20微米-30微米之间，所述发光外延层的有效发光面积与总面积之间的比例介于38％-45％；

所述最短间隔距离之和进一步介于30微米-40微米之间，所述发光外延层的有效发光面积与总面积之间的比例介于45％-55％之间；

所述最短间隔距离之和进一步介于40微米-60微米之间，所述发光外延层的有效发光面积与总面积之间的比例介于55％-60％之间。

5.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述第一电极和第二电极的数量总和不少于5个。

6.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述第一电极和第二电极的数量总和不少于7个。

7.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述第一电极和第二电极的数量总和不少于9个。

8.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述第一电极和第二电极的数量总和不少于11个。

9.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述第二半导体层和所述有源发光层上设置有沟槽，所述沟槽将所述第二半导体层和所述有源发光层划分成彼此间隔的至少两个台面结构，并暴露部分所述第一半导体层，其中所述至少部分发光区域包括至少一台面结构，所述第一电极设置于所述沟槽内并电连接至所述第一半导体层，所述第二电极设置于所述第二半导体层上并电连接至第二半导体层，或者所述第二电极至少部分设置于所述沟槽内并通过分支电极或电流扩散层电连接至所述第二半导体层。

10.根据权利要求9所述的发光二极管，其特征在于，所述第一电极和所述第二电极分别为沿第一方向延伸且沿垂直于所述第一方向的第二方向彼此间隔设置的条状电极。