[发明专利]一体化封装射频微系统组件有效
| 申请号: | 201911303378.8 | 申请日: | 2019-12-17 |
| 公开(公告)号: | CN111048500B | 公开(公告)日: | 2021-07-09 |
| 发明(设计)人: | 曾鸿江;陈兴国;杨凝 | 申请(专利权)人: | 中国电子科技集团公司第三十八研究所 |
| 主分类号: | H01L25/16 | 分类号: | H01L25/16;H01L25/18;H01L23/31 |
| 代理公司: | 合肥市浩智运专利代理事务所(普通合伙) 34124 | 代理人: | 杜丹丹 |
| 地址: | 230000 安徽省合*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一体化 封装 射频 系统 组件 | ||
本发明公开一体化封装射频微系统组件,包括壳体、金属焊盘、接地焊盘;壳体内具有隔板,隔板两侧为密封的第一腔体和第二腔体;隔板的顶面固定安装多个芯片,隔板的底面固定安装多个芯片,第二腔体的底面固定安装多个芯片;多个金属焊盘固定在壳体的顶面,接地焊盘固定在壳体的底面;金属焊盘与芯片连接、芯片与芯片连接、芯片与接地焊盘连接。本发明的有益效果:本发明将射频前端收发通道分成三部分,每部分所对应的相应芯片元器件分别贴装,使得发射支路与接收支路所涉及的芯片均集成于一个封装体内,形式具有小体积、重量轻、高集成度并且利于阵列扩展等优点。
技术领域
本发明涉及一种封装技术,尤其涉及的是一种一体化封装射频微系统组件。
背景技术
随着系统级封装技术和射频微系统技术的快速发展,在雷达、通信领域的射频前端组件越来越向微型化、高集成化、轻量化等方向发展。射频前端组件是现代雷达和通信设备中的重要组成部分。射频前端阵列通道和单元数量众多,少则数百,多则接近百万通道。射频前端的每个收发通道均包含发射放大、接收放大、幅相多功能、电源调制等多颗芯片,因此,射频前端组件的高集成化设计和封装对于减少整个射频前端阵列的体积、重量,提高雷达和通信设备的集成度,拓展设备的应用领域均至关重要。
传统雷达中的射频前端采用非一体化设计,即电路基板和壳体是分离的。射频电路基板一般是高温共烧陶瓷(HTCC)、低温共烧陶瓷(LTCC)、PCB基板等,而壳体一般是金属壳体。工艺上,电路基板焊到金属壳体上,芯片、元器件等焊到电路基板上,然后对金属壳体封盖实现气密性封装。这种传统封装形式的可靠性方面毋庸置疑,可是由于电路基板是二维的平面结构,最终组件的横向尺寸比较大。并且金属壳体在重量和尺寸上都难以做小,因此传统组件无法满足现代雷达、通信装备的高集成度、轻量化、小型化的要求。
如申请号:201610626411.0,公开一种射频微系统封装模块,其特征在于,包括:第一晶片,具有相对的第一晶片正面和第一晶片背面,作为所述射频微系统封装模块的基板,包含第一半导体器件层、构置于第一半导体器件层上的第一射频晶体管以及构置于第一射频晶体管和第一晶片背面间的第一晶体管底部介质层;被垂直堆叠在所述第一晶片正面之上并包含于所述第一晶片边界之内的第二晶片,其具有相对的第二晶片正面和第二晶片背面,所述第二晶片包含第二半导体器件层和构置于第二半导体器件层上的第二射频晶体管,所述第二晶片正面与第一晶片正面相对;第一介质填充片体,置于第一晶片正面上并环绕第二晶片;一组第一晶片间互连线,将第一晶片和第二晶片实现电学耦合,其中至少一个第一晶片间互连线包含一个垂直穿透第一半导体器件层并深入到第二晶片内与第二射频晶体管实现电学耦合的第一通孔互连件。其中,第一晶片与第二晶片采用的仍然是硅衬底,并未将各个模块与金属壳体进行集成。
如申请号:201810340528.1,一种超宽带射频微系统的陶瓷双面三维集成架构,其特征在于,包括陶瓷基板,金属微框,正面盖板,背面盖板以及BGA焊球:所述陶瓷基板的双面均开设有用于安装芯片的腔槽,所述金属微框焊接在陶瓷基板的正面,所述正面盖板焊接在金属微框上,所述背面盖板焊接在陶瓷基板的背面腔槽上,所述陶瓷基板的背面除背面盖板以外的区域设置有BGA焊盘,BGA焊球通过BGA焊盘焊接在陶瓷基板的背面。并未根据功能划分区区域。
公开于该背景技术部分的信息仅仅旨在增加对本发明的总体背景的理解,而不应当被视为承认或以任何形式暗示该信息构成已为本领域一般技术人员所公知的现有技术。
发明内容
本发明所要解决的技术问题在于:如何解决现有的射频前端体积大的问题。
本发明通过以下技术手段实现解决上述技术问题的:
一体化封装射频微系统组件,包括壳体、多个金属焊盘、接地焊盘;壳体内中部具有隔板,隔板两侧为密封的第一腔体和第二腔体;
隔板的顶面固定安装多个控制芯片,隔板的底面固定安装多个射频芯片,第二腔体内固定安装多个射频芯片;
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