[发明专利]基于射频收发芯片的发射本振泄露数字校准系统及方法在审
申请号: | 201911303246.5 | 申请日: | 2019-12-17 |
公开(公告)号: | CN111181594A | 公开(公告)日: | 2020-05-19 |
发明(设计)人: | 张飞飞;彭程;荣兴帅;彭宏利 | 申请(专利权)人: | 上海交通大学 |
主分类号: | H04B1/525 | 分类号: | H04B1/525;H04B1/12 |
代理公司: | 上海段和段律师事务所 31334 | 代理人: | 李佳俊;郭国中 |
地址: | 200240 *** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 基于 射频 收发 芯片 发射 泄露 数字 校准 系统 方法 | ||
本发明提供了一种针对零中频收发芯片的本振泄露校准系统及方法,包括:基带可编程芯片模块与零中频芯片发射模块相连,零中频芯片发射模块与零中频芯片接收模块连接;本振泄露信息从零中频芯片发射模块产生,流向零中频芯片接收模块;零中频芯片接收模块将本振泄露信息转化为预设频点的基带信息,并对预设频点的基带信息进行模数转换;零中频芯片接收模块进行模数转换后,将基带信息送给基带可编程芯片模块进行分析处理,得到补偿值,完成校准;本发明接收端本振泄露不会对发射端校准结果造成影响,不要求事先对接收本振进行校准。
技术领域
本发明涉及通信领域,具体地,涉及一种基于射频收发芯片的发射本振泄露数字校准系统及方法,更为具体地,涉及数字电路的设计方法和射频收发芯片的本振泄露的校准方法。
背景技术
零中频收发芯片是当前无线射频硬件平台的热门研究领域。当前背景下,通信标准快速迭代,新应用场景层出不穷,零中频架构芯片以其简化的系统架构,广阔的频谱覆盖,高度的集成特性,实惠的价格受到了当今市场的高度青睐。
然而,随着零中频芯片的集成度日益提升,本振信号与前端器件之间的耦合越来越严重,经过前端放大器放大,发射机本振泄露问题也变得日益突出。在零中频架构下,泄露的本振信号嵌入到发射频谱中难以滤除,进而会恶化发射信号信噪比,占用发射信号功率,降低系统性能。
现有本振泄露补偿技术多从直流分量角度考虑设计补偿方法,补偿接收机本振与发射本振相同,此时必须先对接收本振进行校准,步骤较为复杂。而且一般需要额外设计硬件模块,成本较高。
专利文献CN103916345A(申请号:201210595908.2)公开了一种无线局域网芯片发射机本振泄露校正的方法和装置,该装置具有MCU处理单元、控制模块、射频回路、模拟补偿模块、SRAM存储器,其中:MCU处理单元控制装置的工作状态,输出启动、结束和切换回正常收发模式的命令到控制模块;生成发射信号,并通过控制模块写入发射数据到发射SRAM中,同时也通过控制模块读取接收SRAM中的数据;处理接收数据,实现校准算法功能;控制模块接收MCU处理单元的指令,当启动校准工作后,读取发射SRAM中的发射数据,送到射频回路,同时接收射频回路的数据,写入到接收SRAM中;当控制模块接收到结束命令后,停止发射数据;最终根据MCU处理单元的切换回正常收发模式的命令重新配置参数,使电路恢复到正常收发状态;射频回路提供校准通道,主要为DAC模块、发射滤波器、发射增益器、混频器、包络检测器、接收滤波器和ADC模块,射频回路接收发射SRAM中的发射数据,通过射频回路由ADC模块实现模数转换,输出接收数据到接收SRAM;模拟补偿模块是补偿单元,补偿大小由控制模块给出,输出的补偿值送到混频器实现本振泄露补偿;SRAM存储器分为接收SRAM和发射SRAM,均由控制模块来写入和读出数据。
发明内容
针对现有技术中的缺陷,本发明的目的是提供一种基于射频收发芯片的发射本振泄露数字校准系统及方法。
根据本发明提供的一种针对零中频收发芯片的本振泄露校准系统,包括:
基带可编程芯片模块与零中频芯片发射模块相连,零中频芯片发射模块与零中频芯片接收模块连接;
设置基带可编程芯片模块上电进入工作状态;基带可编程芯片模块控制设备进入校准状态,零中频芯片发射模块不发送任何数据;
模块M1:本振泄露信息从零中频芯片发射模块产生,流向零中频芯片接收模块;
模块M2:零中频芯片接收模块将本振泄露信息转化为预设频点的基带信息,并对预设频点的基带信息进行模数转换;
模块M3:零中频芯片接收模块进行模数转换后,将基带信息送给基带可编程芯片模块进行分析和处理,得到补偿值,完成校准;
所述零中频芯片发射模块:输出信号中包含着待校准的本振泄露信息;
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海交通大学,未经上海交通大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201911303246.5/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。