[发明专利]太赫兹频段在片S参数的校准方法及终端设备

说明书

本发明适用于半导体器件技术领域，提供了一种太赫兹频段在片S参数的校准方法及终端设备，包括：获取对太赫兹频段的系统进行初步校准后得到的8项误差模型；基于8项误差模型，获取基于第一校准件的第一S参数，并根据第一S参数确定第一数学模型，第一数学模型包含探针之间的并联串扰项；获取基于第二校准件的第二S参数，并根据第二S参数确定第二数学模型，第二数学模型包含探针之间的串联串扰项；获取基于被测件的第三S参数，并根据第三S参数确定第三数学模型；基于第一数学模型、第二数学模型和第三数学模型求解得到被测件的Z参数，并根据被测件的Z参数得到被测件的S参数。本发明能实现太赫兹频段在片S参数的准确测试。

技术领域

本发明属于半导体器件技术领域，尤其涉及一种太赫兹频段在片S参数的校准方法及终端设备。

背景技术

微电子行业中配备的大量“在片S参数测试系统”在使用前，需要使用在片校准件进行矢量校准。校准件的类型包括SOLT(Short-Open-Load-Thru，短路-开路-负载-直通)、TRL(Thru-Reflect-Line，直通-反射-线路)、LRRM(Line-Reflect-Reflect-Match，线路-反射-反射-匹配)等，每种校准件都对应着相应的校准算法。因此，影响校准准确度的因素主要有校准方法和校准件。

传统的校准方法采用12项误差模型或8项误差模型，他们在低频在片领域(50GHz以下)、同轴和波导领域具有很高的准确度。但随着在片测试频率的升高，一些在低频段可以忽略的系统误差不可忽略，如探针与探针之间的泄漏(串扰信号)变得越来越大，影响了测试的准确度。串扰信号对测量结果带来的误差，随着频率的增加会越来越大，然而传统的12项误差模型或者8项误差模型，显然已经不能表征上述串扰误差量，使用传统的误差模型进行校准，测试得到的S参数准确度较低。

发明内容

有鉴于此，本发明实施例提供了一种太赫兹频段在片S参数的校准方法、系统及终端设备，以解决传统的误差模型无法表征串扰误差量，使用传统的误差模型进行校准，测试得到的S参数准确度较低的问题。

本发明实施例的第一方面提供了一种太赫兹频段在片S参数的校准方法，包括：

获取对太赫兹频段的系统进行初步校准后得到的8项误差模型；

基于8项误差模型，获取基于第一校准件的第一S参数，并根据第一S参数确定第一数学模型，第一数学模型包含探针之间的并联串扰项；

基于8项误差模型，获取基于第二校准件的第二S参数，并根据第二S参数确定第二数学模型，第二数学模型包含探针之间的串联串扰项；

基于8项误差模型，获取基于被测件的第三S参数，并根据第三S参数确定第三数学模型，第三数学模型包含被测件的Z参数；

基于第一数学模型、第二数学模型和第三数学模型求解得到被测件的Z参数，并根据被测件的Z参数得到被测件的S参数。

本发明实施例的第二方面提供了一种终端设备，包括存储器、处理器以及存储在存储器中并可在处理器上运行的计算机程序，处理器执行计算机程序时实现如第一方面所述太赫兹频段在片S参数的校准方法的步骤。

本发明实施例的第三方面提供了一种计算机可读存储介质，计算机可读存储介质存储有计算机程序，计算机程序被一个或多个处理器执行时实现如第一方面所述太赫兹频段在片S参数的校准方法的步骤。

本发明实施例与现有技术相比存在的有益效果是：本发明实施例首先获取8项误差模型，然后基于8项误差模型，分别获取第一数学模型、第二数学模型和第三数学模型，其中，第一数学模型包含探针之间的并联串扰项，第二数学模型包含探针之间的串联串扰项，第三数学模型包含被测件的Z参数；最后根据第一数学模型、第二数学模型和第三数学模型求解得到被测件的Z参数，并根据被测件的Z参数得到被测件的S参数，本发明实施例对8项误差模型增加了两次串扰修正，能够实现太赫兹频段在片S参数的准确测试。