[发明专利]一种兼容APT和ET模式的5G射频前端电源切换芯片有效
| 申请号: | 201911302298.0 | 申请日: | 2019-12-17 |
| 公开(公告)号: | CN111106802B | 公开(公告)日: | 2021-03-09 |
| 发明(设计)人: | 胡自洁;曹原;倪楠;倪建兴 | 申请(专利权)人: | 锐石创芯(重庆)科技有限公司 |
| 主分类号: | H03F1/30 | 分类号: | H03F1/30;H03F1/32;H03F1/02;H03F1/08 |
| 代理公司: | 成都知集市专利代理事务所(普通合伙) 51236 | 代理人: | 李位全 |
| 地址: | 400700 重庆市*** | 国省代码: | 重庆;50 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 兼容 apt et 模式 射频 前端 电源 切换 芯片 | ||
1.一种兼容APT和ET模式的5G射频前端电源切换芯片,其特征在于:该芯片包括第一开关M1、第二开关M2、第三开关M3、电容C3和电容C4,所述第一开关M1、所述第二开关M2和所述第三开关M3分别包括高电源端、低电源端和控制端;所述第三开关M3的控制端和所述第一开关M1的控制端分别用于加载控制电压,所述第三开关M3的高电源端接所述第二开关M2的控制端,所述第三开关M3的低电源端接地;所述第二开关M2的高电源端用于电源加载,所述第二开关M2的低电源端接所述第一开关M1的高电源端,并作为输出端;所述第一开关M1的低电源端接地;所述电容C3的第一极板接所述第二开关M2的高电源端,第二极板接所述第二开关M2的低电源端;所述电容C4的第一极板接所述第二开关M2的高电源端,第二极板接地;所述电容C3为5GPAT电容。
2.根据权利要求1所述的兼容APT和ET模式的5G射频前端电源切换芯片,其特征在于:还包括电阻R1和电容C1,加载于所述第一开关M1控制端上的控制电源经所述电阻R1和所述电容C1接地。
3.根据权利要求1-2任意一项所述的兼容APT和ET模式的5G射频前端电源切换芯片,其特征在于:还包括串联于所述第二开关M1的高电源端和控制端之间的电阻R2。
4.根据权利要求1-2任意一项所述的兼容APT和ET模式的5G射频前端电源切换芯片,其特征在于:还包括电容C2,加载于所述第三开关M3控制端上的控制电源经所述电容C2接地。
5.根据权利要求3所述的兼容APT和ET模式的5G射频前端电源切换芯片,其特征在于:还包括电容C2,加载于所述第三开关M3控制端上的控制电源经所述电容C2接地。
6.一种兼容APT和ET模式的5G射频前端电源切换芯片,其特征在于:该切换芯片包括驱动电路、开关M4、电阻R4、电容C3和电容C4,所述开关M4包括高电源端、低电源端和控制端,所述驱动电路的输入端加载控制电压,输出端接所述开关M4的控制端,所述开关M4的高电源端作为输出端,所述开关M4的低电源端接地;所述电阻R4串联于所述开关M4的高电源端和低电源端之间;所述电容C3的第一极板和所述电容C4的第一极板用于接电源,所述电容C3的第二极板与所述开关M4的电源端连接;所述电容C4的第二极板接地;所述电容C3为5GPAT电容。
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