[发明专利]半导体器件和电接触件在审
| 申请号： | 201911301985.0 | 申请日： | 2019-12-17 |
| 公开（公告）号： | CN111326571A | 公开（公告）日： | 2020-06-23 |
| 发明（设计）人： | 蒂姆·波特;奥尔里克·舒马赫;简·菲舍尔 | 申请（专利权）人： | 安世有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/417 | 分类号： | H01L29/417;H01L29/45;H01L29/47;H01L21/28;H01L29/872 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 张娜;顾丽波 |
| 地址： | 荷兰*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 接触 | ||
1.一种用于分立半导体器件的电接触件结构，所述电接触件包括：
第一金属层，其被配置和布置为接触半导体裸片的应变有源区；
第二金属层，其被配置和布置为接触所述第一金属层；以及
第三金属层，其被配置和布置为接触所述第二金属层。
2.根据权利要求1所述的电接触件，其中，所述半导体裸片的所述应变有源区是阳极区。
3.根据权利要求2所述的电接触件，其中，所述阳极由硅锗(SiGe)材料形成。
4.根据权利要求1至3中的任一项所述的电接触件，其中，所述第一金属层被配置为直接布置在所述应变有源区上以形成肖特基势垒。
5.根据权利要求4所述的电接触件，其中，所述第一金属层由NiSi2、CoSi2、TiN、WTiN和WTi中的一种形成。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的电接触件，其中，所述第二金属层是布置在所述第一金属层上的界面层并且由可塑性变形金属形成。
7.根据权利要求6所述的电接触件，其中，所述第二金属层由Al或Ag形成。
8.根据权利要求6所述的电接触件，其中，所述第二金属层由包括Si和/或Cu的Al合金形成。
9.根据权利要求1至8中任一项所述的电接触件，其中，所述第三金属层是欧姆接触层并且被布置成以可接触地接纳夹片接合件、引线接合件或凸块接合件。
10.根据权利要求9所述的电接触件，其中，当所述第三金属层被布置用于夹片接合时，所述第三金属层由以下之一形成：
Ni、Cu；或Ag；
Ni和Ag的叠层；
Ti和Ni的叠层；
Cu和Sn的叠层；
Ti和NiV的叠层；
Ti、Ni和Ag的叠层；和
Ti、NiV和Ag的叠层。
11.根据权利要求9所述的电接触件，其中，当所述第三金属层被布置用于引线接合时，所述第三金属层由以下之一形成：Al；AlSi；AlCu；AlSiCu；Cu；和Ag。
12.根据权利要求9所述的电接触件，其中，当所述第三金属层被布置用于凸块接合时，所述第三金属层由以下之一形成：Ni；Ag；Ni和Ag的叠层；Ni和Pd和Au的叠层；以及Cu和Sn的叠层。
13.根据权利要求12所述的电接触键，其中，所述第三金属层包括Ti的初始层。
14.一种半导体器件，包括权利要求1至13中任一项所述的电接触件。
15.一种制造用于分立半导体器件的电接触件的方法，所述方法包括：
形成第一金属层，所述第一金属层被配置和布置为接触半导体裸片的应变有源区；
形成第二金属层以接触所述第一金属层；以及
形成第三金属层以接触所述第二金属层。
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