[发明专利]一种制备高导电性铜互连线的方法在审
| 申请号： | 201911293091.1 | 申请日： | 2019-12-16 |
| 公开（公告）号： | CN111146144A | 公开（公告）日： | 2020-05-12 |
| 发明（设计）人： | 陈张发;曾绍海 | 申请（专利权）人： | 上海集成电路研发中心有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/528;H01L23/532 |
| 代理公司： | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人： | 吴世华;马盼 |
| 地址： | 201210 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 制备 导电性 互连 方法 | ||
1.一种制备高导电性铜/石墨烯复合互连线的方法，其特征在于，包括如下步骤：
S01：在介质层中刻蚀通孔；
S02：在所述通孔中依次沉积铜阻挡层和铜籽晶层；
S03：在所述铜籽晶层上生长铜，形成位于所述通孔中的铜互连层；
S04：将石墨烯前驱体注入所述铜互连层中，从而在通孔中形成铜/石墨烯复合互连线。
2.根据权利要求1所述的一种制备高导电性铜/石墨烯复合互连线的方法，其特征在于，所述步骤S04还包括：
S041：所述石墨烯前驱体在离化室中进行离化；
S042：离化之后的石墨烯前驱体进入质量筛选器中进行筛选；
S043：筛选之后的石墨烯前驱体进入加速器中进行加速，获得目标能量；
S044：加速之后的石墨烯前驱体注入所述铜互连层中。
3.根据权利要求2所述的一种制备高导电性铜/石墨烯复合互连线的方法，其特征在于，所述步骤S04中石墨烯前驱体注入所述铜互连层的温度大于200℃，从而在通孔中形成铜/石墨烯复合互连线。
4.根据权利要求2所述的一种制备高导电性铜/石墨烯复合互连线的方法，其特征在于，所述步骤S04中石墨烯前驱体注入所述通孔的温度小于等于200℃，经过退火，在通孔中形成铜/石墨烯复合互连线。
5.根据权利要求4所述的一种制备高导电性铜/石墨烯复合互连线的方法，其特征在于，所述退火温度为200-700℃，退火时间为1秒-1小时。
6.根据权利要求2所述的一种制备高导电性铜/石墨烯复合互连线的方法，其特征在于，所述步骤S04还包括：重复步骤S041-S044M次，且每次筛选之后的石墨烯前驱体进入加速器中进行加速，获得不同的目标能量；M为大于0的正整数。
7.根据权利要求1所述的一种制备高导电性铜/石墨烯复合互连线的方法，其特征在于，所述铜/石墨烯复合互连线中，石墨烯位于铜的晶界表面。
8.根据权利要求1所述的一种制备高导电性铜/石墨烯复合互连线的方法，其特征在于，所述石墨烯前驱体包括二氧化碳或者甲烷或者苯。
9.根据权利要求1所述的一种制备高导电性铜/石墨烯复合互连线的方法，其特征在于，所述步骤S03还包括对生长铜之后的通孔进行退火。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海集成电路研发中心有限公司，未经上海集成电路研发中心有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201911293091.1/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种光纤探针传感器及制备方法
- 下一篇：一种电子白板显示资源共享方法及系统
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
