[发明专利]一种金属铟修饰的硅光电阴极薄膜制备方法和应用在审
| 申请号： | 201911291731.5 | 申请日： | 2019-12-16 |
| 公开（公告）号： | CN110904474A | 公开（公告）日： | 2020-03-24 |
| 发明（设计）人： | 罗文俊;胡文健;董洪政;任斐隆;宋文涛;邹志刚 | 申请（专利权）人： | 南京大学;南京大学昆山创新研究院 |
| 主分类号： | C25D3/54 | 分类号： | C25D3/54;C25D5/54;C25D17/00;C25B1/04;C25B1/00;C25B3/04;C25B11/04 |
| 代理公司： | 南京瑞弘专利商标事务所(普通合伙) 32249 | 代理人： | 陈建和 |
| 地址： | 210093 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 金属 修饰 光电 阴极 薄膜 制备 方法 应用 | ||
【权利要求书】：
1.一种金属铟修饰硅光电阴极薄膜的方法，其特征在于：
1)将硅片依次置于有机溶剂清洗剂和去离子水中超声清洗30±10分钟，其后将硅片放入10±5％氢氟酸水溶液中刻蚀20-100秒备用；
2)将金属铟盐In(NO3)3·4H2O或InCl3溶解于1±0.3M NaNO3溶液中，制得0.02M的In(NO3)3·4H2O或InCl3溶液，用于光辅助硅光电极的电沉积；
3)将清洗好的硅片与电化学工作站连接，在-1.0V(vs.SCE)电位下，通过紫外可见光照30±10秒，得到金属铟修饰的硅光电阴极薄膜。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤(1)中的有机溶剂清洗剂包括但不限于丙酮、乙醇以及甲醇等。
3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，用于沉积的金属铟盐溶液包括但不限于In(NO3)3·5H2O，InCl3等。
4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，光辅助电沉积过程应处于室温和光强稳定的条件下进行。
5.一种根据权利要求1-4之一制备得到的金属铟修饰的硅光电阴极薄膜在光电催化水分解、二氧化碳还原反应中的应用。
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