[发明专利]改善掺杂非晶硅薄膜方块电阻面内均一性的方法有效

申请号：	201911291715.6	申请日：	2019-12-16
公开（公告）号：	CN110923660B	公开（公告）日：	2022-05-20
发明（设计）人：	王剑敏	申请（专利权）人：	上海华虹宏力半导体制造有限公司
主分类号：	C23C16/24	分类号：	C23C16/24;C23C16/513;C23C16/52
代理公司：	上海浦一知识产权代理有限公司 31211	代理人：	焦健
地址：	201203 上海市浦东***	国省代码：	上海;31
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摘要：
搜索关键词：	改善掺杂非晶硅薄膜方块电阻均一方法
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【权利要求书】：

1.一种改善掺杂非晶硅薄膜方块电阻面内均一性的方法，其特征在于：在淀积掺杂非晶硅薄膜时，在通入的包含有硅烷、掺杂气体以及载气的反应气体中增加反应气体锗烷；淀积时，淀积温度300～450摄氏度，压力1～10Torr，高频功率100～1000w，低频功率100～1000w,硅烷流量 100～1000sccm，淀积时间10～100s，载气流量 500～5000sccm；

所述通入的锗烷流量为10～1000sccm；

通入了一定量的锗烷后，由于锗烷中分解出的Ge和掺杂气体中的B的结合能力与硅不同从而改变了掺杂的分布，改善了面内均一性。

2.如权利要求1所述的改善掺杂非晶硅薄膜方块电阻面内均一性的方法，其特征在于：所述的方法包含的步骤为：

步骤一，在反应腔内准备非晶硅的淀积作业；

步骤二，在反应腔室内通入硅烷、锗烷、掺杂气体以及载气；

步骤三，稳定反应腔室内的压力；

步骤四，导入射频，开始淀积非晶硅膜层；

步骤五，关闭射频，将腔室内的残余气体抽出；

步骤六，非晶硅淀积结束。

3.如权利要求2所述的改善掺杂非晶硅薄膜方块电阻面内均一性的方法，其特征在于：所述的反应腔室为等离子体增强化学气相淀积反应腔室。

4.如权利要求2所述的改善掺杂非晶硅薄膜方块电阻面内均一性的方法，其特征在于：所述步骤二中的载气为惰性气体。

5.如权利要求4所述的改善掺杂非晶硅薄膜方块电阻面内均一性的方法，其特征在于：所述的惰性气体为氦、氖和氩中的至少一种。