[发明专利]OLED显示器及其制作方法

权利要求书

1.一种OLED显示器，其特征在于，所述OLED显示器包括：

基底；

阻隔层，设置于所述基底上，所述阻隔层和所述基底具有穿过所述阻隔层和所述基底的通孔，所述阻隔层具有倒梯形结构；

TFT驱动电路，设置于所述阻隔层上，所述TFT驱动电路包括围绕所述通孔的多个TFT电极，所述TFT驱动电路在所述通孔处不设TFT电极；

绝缘层，设置在所述TFT驱动电路上，所述绝缘层包括暴露所述通孔的开口；

有机发光层，设置在所述绝缘层上；以及

封装层，设置在所述有机发光层上；

其中，所述有机发光层在所述倒梯形结构处断开，形成不连续的膜层。

2.根据权利要求1所述的OLED显示器，其特征在于，所述基底具有与所述通孔对应的挖孔区域、与所述TFT驱动电路对应的显示区域以及位于所述挖孔区域与所述显示区域之间的非显示区域，其中，所述倒梯形结构位于所述非显示区域中。

3.根据权利要求2所述的OLED显示器，其特征在于，所述TFT驱动电路、所述绝缘层和所述有机发光层在所述倒梯形结构处断开，形成开口。

4.根据权利要求3所述的OLED显示器，其特征在于，所述封装层完全覆盖所述TFT驱动电路、所述绝缘层和所述有机发光层在所述倒梯形结构处形成的所述开口以及所述倒梯形结构。

5.根据权利要求2所述的OLED显示器，其特征在于，在所述非显示区域内靠近所述挖孔区域的所述阻隔层上方设置有止裂墙结构。

6.根据权利要求5所述的OLED显示器，其特征在于，所述止裂墙结构的材料与所述绝缘层的材料为相同材料。

7.根据权利要求1所述的OLED显示器，其特征在于，所述倒梯形结构的上端面长度大于所述倒梯形结构的下端面的长度。

8.根据权利要求7所述的OLED显示器，其特征在于，所述倒梯形结构的厚度为0.5微米到1微米之间，所述倒梯形结构的底端θ角为120度到150度之间。

9.根据权利要求1所述的OLED显示器，其特征在于，所述有机发光层的厚度小于所述倒梯形结构的厚度。

10.一种OLED显示器的制作方法，其特征在于，包括：

S1、在基底上形成阻隔层，所述基底具有显示区域、挖孔区域和位于所述显示区域与所述挖孔区域之间的非显示区域；

S2、在所述非显示区域的所述阻隔层上形成倒梯形结构；

S3、在所述基底的所述显示区域中制作TFT驱动电路，所述TFT驱动电路包括围绕所述通孔的多个TFT电极，所述TFT驱动电路在所述非显示区域形成开口；

S4、在所述TFT驱动电路上形成绝缘层，所述绝缘层在所述非显示区域形成开口；

S5、在所述绝缘层上形成有机发光层，所述有机发光层在所述倒梯形结构处断开，形成不连续膜层，所述有机发光层在所述非显示区域形成开口；以及

S6、在所述TFT驱动电路、所述绝缘层和所述有机发光层上覆盖封装层。