[发明专利]一种高稳定性有机发光二极管

说明书

本发明公开了一种高稳定性有机发光二极管，由下至上依次包括第一电极层、有机功能层和第二电极层，有机功能层与第二电极层构成有机膜层，第一电极层和有机功能层之间设置有呈阵列分布的像素限定层，像素限定层高出位于相邻两像素限定层之间的有机膜层上平面；像素限定层的外侧面形成搭接区和断开区，搭接区处的位于像素限定层上方的有机膜层与位于两像素限定层之间的有机膜层形成搭接；断开区处的位于像素限定层上方的有机膜层与位于两像素限定层之间的有机膜层形成断开。可以将有机发光二极管中所产生的有害气体可以通过像素限定层周边的断开区直接排出，不经有机功能层和第二电极层进行渗透，大大提高了寿命及稳定性。

技术领域

本发明涉及有机半导体照明技术领域，具体涉及一种高稳定性有机发 光二极管。

背景技术

像素限定层(PDL)为有机发光二极管中用于限定发光区及绝缘作用，通 常地，光敏性聚酰亚胺(PSPI)可实现上述要求。然而，有机发光二极管 在比较严苛的环境下，如高温、高湿、日光下，PSPI通常会释放一些杂质 或者气体，这些杂质或者气体是对有机发光二极管不利的，可导致寿命降 低。主要原因在于PSPI含有一些π共轭的官能团，这些官能团的电子能在 光、电或者热条件下受到激发，官能团与官能团之间发生化学反应，导致 一些杂质或者气体释放，直接通过有机功能层和第二电极层渗透出来，从 而导致像素收缩，影响有机发光二极管的可靠性，如图1和图2所示。

发明内容

为解决现有技术中光敏性聚酰亚胺(PSPI)在高温、高湿、环境光等 严苛环境下对OLED的可靠性所产生的不利影响，本发明通过对屏体结构进 行设计，使得PDL所释放的气体能够放出，降低气体释放对OLED的侵蚀， 提高OLED的可靠性，为此，本发明提供了一种高稳定性有机发光二极管。

本发明采用如下技术方案：

一种高稳定性有机发光二极管，由下至上依次包括第一电极层、有机 功能层和第二电极层，所述有机功能层与所述第二电极层构成有机膜层， 其特征在于，所述第一电极层和有机功能层之间设置有呈阵列分布的像素 限定层，所述像素限定层高出位于相邻两所述像素限定层之间的所述有机 膜层上平面；所述像素限定层的外侧面形成搭接区和断开区，所述搭接区 处的位于所述像素限定层上方的有机膜层与位于两所述像素限定层之间的 有机膜层形成搭接；所述断开区处的位于所述像素限定层上方的有机膜层 与位于两所述像素限定层之间的有机膜层形成断开。

所述断开区位置所对应的所述像素限定层外侧面在靠近所述第一电极 层的方向上呈逐渐向内收缩状，且所述像素限定层外侧面与其外侧的有机 膜层之间形成透气间隙。

优选地，所述断开区位置所对应的所述像素限定层外侧面与所述第一 电极层间形成90°～120°夹角。

所述搭接区位置所对应的所述像素限定层外侧面在靠近所述第一电极 层的方向上呈逐渐外扩状。

优选地，所述搭接区位置所对应的所述像素限定层外侧面与所述第一 电极层间形成0～60°夹角。

通过光刻工艺在像素限定层外侧面形成具有直角或钝角倾角的断开区 和具有锐角倾角的搭接区。

所述像素限定层的高度h≥1um，且所述像素限定层高出两相邻像素限 定层之间的有机膜层0.1μm～5μm。

所述像素限定层的横截面为多边形结构，所述搭接区设置于所述像素 限定层的边部位置或角部位置。

所述像素限定层上方边缘位置所形成的搭接区搭接长度占所述断开区 (20)长度的10％及以上。

所述像素限定层为酚醛树脂、硅氧烷聚合物、亚克力树脂、环氧树脂、 氧化硅和氮化硅中的一种。

所述像素限定层正下方对应的区域与所述第一电极层之间还设有辅助 电极层。

本发明技术方案，具有如下优点：