[发明专利]一种制作N型PERT双面太阳电池及其制备工艺

权利要求书

1.一种制作N型PERT双面太阳电池的制备工艺，其特征在于，所述制备工艺包括：

制绒步骤:对N型硅片正背双面进行制绒；

离子注入步骤：对N型硅片正面离子注入硼形成PN结，对N型硅片背面离子注入磷形成N⁺N结，形成双结结构；

双面同时加工步骤：对双结结构的N型硅片正背双面同时加工制备钝化减反结构；

烧结步骤：对双面同时加工后的N型硅片进行共烧结处理，形成N型PERT双面太阳电池。

2.根据权利要求1所述的一种制作N型PERT双面太阳电池的制备工艺，其特征在于，所述钝化减反结构包括逐层叠加的SiO₂钝化膜、SiN_X减反膜以及Ag电极。

3.根据权利要求2所述的一种制作N型PERT双面太阳电池的制备工艺，其特征在于，所述双面同时加工步骤包括：

SiO₂钝化膜制备步骤：对双结结构的N型硅片正背双面同时进行激活回火，并通入纯氧，生成SiO₂钝化膜；

SiN_X减反膜制备步骤：对生成SiO₂钝化膜后的N型硅片正背双面同时利用PECVD法生成SiNx减反膜；

Ag电极制备步骤：对生成SiN_X减反膜的N型硅片正背双面同时印刷Ag电极。

4.根据权利要求1所述的一种制作N型PERT双面太阳电池的制备工艺，其特征在于，还包括测试步骤：对形成的N型PERT双面太阳电池进行电性测试。

5.根据权利要求3所述的一种制作N型PERT双面太阳电池的制备工艺，其特征在于，所述激活回火的温度为1000℃-1050℃。

6.根据权利要求3所述的一种制作N型PERT双面太阳电池的制备工艺，其特征在于，通入纯氧的流量为80ml/min。

7.一种根据权利要求1至6中任意一项所述的一种制作N型PERT双面太阳电池的制备工艺所制作的一种N型PERT双面太阳电池，其特征在于，包括N型硅片、覆盖在N型硅片正背双面的P发射极和N⁺背场以及对称设置在N型硅片正背两面且依次叠加的SiO₂钝化膜、SiN_X减反膜和Ag电极。

8.根据权利要求7所述的一种N型PERT双面太阳电池，其特征在于，所述SiO₂钝化膜的厚度为10～20nm。

9.根据权利要求7所述的一种N型PERT双面太阳电池，其特征在于，所述SiN_X减反膜的厚度为70nm。