[发明专利]一种Micro-LED芯片及其制造方法

说明书

本申请涉及发光二极管技术领域，具体公开了一种Micro‑LED芯片及其制造方法，该Micro‑LED芯片包括：缓冲层；发光外延层，包括依次层叠设置于缓冲层的一侧主表面上的第一导电类型半导体层、量子阱层以及第二导电类型半导体层，其中第二导电类型半导体层、量子阱层以及第一导电类型半导体层形成部分外露第一导电类型半导体层的台面结构，台面结构的外周壁上设置有以离子轰击方式形成且与台面结构一体设置的第一绝缘区。通过上述方式，本申请能够阻止载流子在台面结构的外周壁产生非辐射复合，进而提高Micro‑LED芯片光电转换效率。

技术领域

本申请涉及发光二极管技术领域，特别是涉及一种Micro-LED芯片及其制造方法。

背景技术

Micro-LED(微型发光二极管)是新一代显示技术，比现有的OLED(有机发光二极管)技术亮度更高、发光效率更好、但功耗更低。在现有的Micro-LED芯片的制备过程中往往都需要通过蚀刻方式将发光外延层蚀刻成台面结构。然而，传统的蚀刻方式会对发光外延层蚀造成损伤，导致在台面结构的侧壁形成非辐射复合，导致芯片的光电转换效率下降。

发明内容

本申请提出一种Micro-LED芯片及其制造方法，能够保护台面结构的外周壁，并能够提高Micro-LED芯片光电转换效率。

为解决上述技术问题，本申请采用的一个技术方案是：提供一种Micro-LED芯片，包括：缓冲层；发光外延层，包括依次层叠设置于缓冲层的一侧主表面上的第一导电类型半导体层、量子阱层以及第二导电类型半导体层，其中第二导电类型半导体层、量子阱层以及第一导电类型半导体层形成部分外露第一导电类型半导体层的台面结构，台面结构的外周壁上设置有以离子轰击方式形成且与台面结构一体设置的第一绝缘区。

为解决上述技术问题，本申请采用的另一个技术方案是：提供一种Micro-LED芯片的制造方法，包括：提供一衬底；在衬底的一侧主表面上形成缓冲层；在缓冲层远离衬底的主表面上形成发光外延层，发光外延层包括依次层叠设置于缓冲层的主表面上的第一导电类型半导体层、量子阱层以及第二导电类型半导体层；对第二导电类型半导体层、量子阱层以及第一导电类型半导体层进行离子轰击，以在第二导电类型半导体层、量子阱层以及第一导电类型半导体层内形成第一绝缘层；沿第一绝缘层对第二导电类型半导体层、量子阱层以及第一导电类型半导体层进行图案化，以形成部分外露第一导电类型半导体层的台面结构，并利用保留的第一绝缘区作为台面结构的外周壁上的第一绝缘区。

本申请的有益效果是：区别于现有技术的情况，本申请的第二导电类型半导体层、量子阱层以及第一导电类型半导体层形成部分外露第一导电类型半导体层的台面结构，且台面结构的外周壁上设置有以离子轰击方式形成且与台面结构一体设置的第一绝缘区，能够阻止载流子在台面结构的外周壁产生非辐射复合，进而提高Micro-LED芯片光电转换效率。

附图说明

为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。其中：

图1是本申请第一实施例的Micro-LED芯片的结构示意图；

图2是本申请第一实施例的Micro-LED芯片的第一俯视结构示意图；

图3是本申请第一实施例的Micro-LED芯片的第二俯视结构示意图；

图4是本申请第一实施例的Micro-LED芯片的第三俯视结构示意图；

图5是本申请第二实施例的Micro-LED芯片的结构示意图；

图6是本申请第三实施例的Micro-LED芯片的结构示意图；