[发明专利]基于混合H桥的单相五电平功率因数校正电路

权利要求书

1.基于混合H桥的单相五电平功率因数校正电路，包括电感L，开关管Q₁、Q₂、Q₃，二极管D₁～D₉，电容C₁、C₂；其特征在于：

交流电源Vs一侧分别连接二极管D₁阳极、二极管D₂阴极，该连接节点构成端点b；

交流电源Vs另一侧连接电感L一端，电感L另一端分别连接二极管D₃阳极、二极管D₄阴极；电感L另一端与二极管D₃、D₄的连接节点构成端点a；

开关管Q₃漏极分别连接二极管D₁阴极、二极管D₃阴极、二极管D₇阳极、开关管Q₁漏极；开关管Q₃漏极与二极管D₁、D₃、D₇、开关管Q₁漏极的连接节点构成端点c；

开关管Q₃源极分别连接二极管D₂阳极、二极管D₄阳极、二极管D₈阴极、开关管Q₂源极；开关管Q₃源极与二极管D₂、D₄、D₈、开关管Q₂源极的连接节点构成端点d；

开关管Q₂漏极连接开关管Q₁源极，其连接节点构成端点n；

二极管D₇阴极连接电容C₁一端，其连接节点构成端点p；

电容C₁另一端连接电容C₂一端，连接点与端点n连接；

电容C₂负极连接二极管D₈阳极，其连接节点构成端点m；

开关管Q₁反并联二极管D₅，开关管Q₂反并联二极管D₆，开关管Q₃反并联二极管D₉；

端点p、端点m分别连接负载R_L两端。

2.根据权利要求1所述基于混合H桥的单相五电平功率因数校正电路，其特征在于：所述端点a、端点c、端点d、端点n构成混合H桥网络结构四端口，混合H桥的两边桥臂分为二极管和全控器件组成。

3.根据权利要求1所述基于混合H桥的单相五电平功率因数校正电路，其特征在于：所述开关管Q₁、Q₂、Q₃为绝缘栅型双极晶体管IGBT、集成门极换流晶闸管IGCT、或者电力场效应晶体管MOSFET。

4.根据权利要求1所述基于混合H桥的单相五电平功率因数校正电路，其特征在于：所述电容C₁、C₂为串联直流母线分裂电容。