[发明专利]离子迁移谱仪的离子源在审

专利信息
申请号: 201911283739.7 申请日: 2019-12-13
公开(公告)号: CN111739784A 公开(公告)日: 2020-10-02
发明(设计)人: B.D.加纳;G.A.埃斯曼;H.沃尔尼克 申请(专利权)人: 哈米尔顿森德斯特兰德公司
主分类号: H01J49/16 分类号: H01J49/16
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人: 曹凌;王丽辉
地址: 美国北卡*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 离子 迁移 离子源
【权利要求书】:

1.一种用于分析蒸气样品的离子迁移谱仪,其包括:

多环离子源,其被配置为接收蒸气样品,其中所述多环离子源包括一系列环,其中所述多环离子源的每个环在其内表面上包括电离层,所述电离层被配置为对所述蒸气样品的至少一部分充电并且产生电离的蒸气样品。

2.根据权利要求1所述的离子迁移谱仪,其还包括位于所述多环离子源下游的用于接收电压脉冲的静电门,所述静电门被配置为将所述电离的蒸气样品引导至所述离子迁移谱仪的分析区。

3.根据权利要求1所述的离子迁移谱仪,其中所述系列环中的所述环彼此电绝缘。

4.根据权利要求1所述的离子迁移谱仪,其中所述系列环中的每个环包括穿过其的通道阵列。

5.根据权利要求4所述的离子迁移谱仪,其中所述通道阵列包括蜂窝状图案。

6.根据权利要求1所述的离子迁移谱仪,其中所述系列环沿着轴线同心地布置成一排。

7.根据权利要求1所述的离子迁移谱仪,其中所述系列环中的每个环被布置为与相邻环包括间隙。

8.根据权利要求1所述的离子迁移谱仪,其还包括位于所述多环离子源下游的反向场电离盘。

9.根据权利要求8所述的离子迁移谱仪,其中所述反向场电离盘位于所述静电门的上游。

10.根据权利要求8所述的离子迁移谱仪,其中所述反向场电离盘包括面向上游的表面,所述面向上游的表面包括电离涂层。

11.根据权利要求8所述的离子迁移谱仪,其中所述反向场电离盘包括被配置为使空气缓冲气体通过的孔口阵列。

12.根据权利要求8所述的离子迁移谱仪,其中所述反向场电离盘的直径等于所述系列环的直径。

13. 根据权利要求1所述的离子迁移谱仪,其中所述系列环中的每个环大约为2 mm厚。

14.一种用于分析蒸气样品的离子迁移谱仪,其包括:

位于下游的反向场电离盘,所述反向场电离盘被配置为接收蒸气样品并位于静电门的上游,其中所述反向场电离盘包括面向上游的表面,所述面向上游的表面包括电离涂层。

15.根据权利要求14所述的离子迁移谱仪,其中所述反向场电离盘包括被配置为使空气缓冲气体通过的孔口阵列。

16.一种使用离子迁移谱仪来分析蒸气样品的方法,其包括:

使蒸气样品穿过毛细管柱到达一系列电离环,每个电离环具有:

利用所述系列电离环将所述蒸气样品电离,以产生电离的蒸气;

使缓冲气体穿过位于所述系列电离环下游的电离盘以缓冲所述电离的蒸气;并且

使所述电离的蒸气向下游到达所述离子迁移谱仪的分析区。

17.根据权利要求16所述的方法,其中所述电离盘引导β粒子远离所述分析区。

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