[发明专利]显示面板、多区域显示面板和显示装置在审
申请号: | 201911283399.8 | 申请日: | 2019-12-13 |
公开(公告)号: | CN111029382A | 公开(公告)日: | 2020-04-17 |
发明(设计)人: | 罗志忠;李泽林;吴伟力;薛慕蓉;边坤 | 申请(专利权)人: | 合肥维信诺科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 北京华进京联知识产权代理有限公司 11606 | 代理人: | 吴娜娜 |
地址: | 230000 安徽省合*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 面板 区域 显示装置 | ||
本发明涉及一种显示面板、多区域显示面板以及显示装置,该显示面板包括发光器件层;发光器件层包括若干子像素,子像素包括依次层叠设置的第一电极、发光层和第二电极;电致变色器件,电致变色器件与第一电极联用或者共用控制电极,控制电极用于控制施加电致变色器件两端的电压切换显示面板的透光率。通过将电致变色器件与第一电极联用或者共用控制电极,使得电致变色器件在子像素发光时被设置为不透光状态,用于减弱外界光的反射,提高显示效果,在子像素不发光时被设置为透光状态,用于使外界光通过,使得该显示面板下方设置的感光器件能够接收到外界的光线,实现拍照的功能。
技术领域
本发明涉及显示设备技术领域,尤其涉及一种显示面板、多区域显示面板和显示装置。
背景技术
随着显示装置的快速发展,用户对屏幕占比的要求越来越高,由于屏幕上方需要安装摄像头、传感器、听筒等元件,因此现有技术中屏幕上方通常会预留一部分区域用于安装上述元件,例如苹果手机iphoneX的前刘海区域,影响了屏幕的整体一致性,全面屏显示受到业界越来越多的关注。
发明内容
本发明的发明目的是提供一种用于全面屏的显示面板、多区域显示面板和显示装置。
为实现上述目的,本发明的第一方面提供一种显示面板,所述显示面板包括:发光器件层;发光器件层包括若干子像素,所述子像素包括依次层叠设置的第一电极、发光层和第二电极;电致变色器件,所述电致变色器件与所述第一电极联用或者共用控制电极,所述控制电极用于控制施加所述电致变色器件两端的电压切换所述显示面板的透光率。电致变色器件在子像素发光的同时被设置为不透光状态,用于减弱外界光的反射,提高显示效果,在子像素不发光时被设置为透光状态,用于使外界光通过,使得设置于该显示面板下方的感光器件,如摄像头,能够接收到外界的光线,实现拍照的功能。
在一可选的实施例中,所述电致变色器件包括电致变色材料层、第一控制电极以及第二控制电极,所述电致变色材料层受所述第一控制电极和所述第二控制电极在其两端施加的电压控制电致变色材料层改变透光率;其中,所述第二控制电极与所述第一电极联用或者共用。通过把第二控制电极与第一电极设置为联用或者共用,能够简化控制电致变色器件工作的方式,实现电致变色器件在子像素发光的同时被设置为不透光状态,用以减弱外界光的反射,提高显示效果,此外,还能够简化工艺,节约成本。
在一可选的实施例中,所述显示面板还包括:基底;所述发光器件层设置于所述基底上,所述电致变色器件设置于所述基底和所述发光器件层之间。
在一可选的实施例中,所述显示面板还包括像素电路;其中,所述第一控制电极与所述像素电路的栅极层,或源、漏电极层、或电源走线层或电容极板层同层设置。第一控制电极与像素电路的栅极层,或源、漏电极层、或电源走线层或电容极板层可在同一工艺步骤中形成,简化工艺过程。
在一可选的实施例中,所述电致变色材料层使用的电致变色材料包括有机电致变色材料和无机电致变色材料;其中,所述无机电致变色材料选自三氧化钨、氧化铱、氧化钼和中空的金银合金纳米结构中的一种或多种的组合;所述有机电致变色材料选自聚噻吩类及其衍生物、四硫富瓦烯、紫罗精类和金属酞菁类化合物中的一种或多种的组合。
在一可选的实施例中,所述第一控制电极、所述第二控制电极、所述第一电极和所述第二电极均为透光电极;其中,所述透光电极的材料包括氧化铟锡、或氧化铟锌、或掺杂银的氧化铟锡、或掺杂银的氧化铟锌。能够增加该显示面板的透光率,保证设置于其下方的感光器件正常工作。
在一可选的实施例中,所述第一电极在所述基底所在平面的正投影由一个图形单元或者两个以上的图形单元组成;所述图形单元为圆形、椭圆形、哑铃形、葫芦形或矩形。从而消除或者减弱了衍射光造成的重影及彩边等图像失真的问题,提高了显示面板下方的摄像头等感光器件感知图像的清晰度,使得设置于显示面板后下方的感光元件能够获得清晰、真实的图像,实现了全面屏显示。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的