[发明专利]处理腔室以及基板处理装置有效
申请号: | 201911280441.0 | 申请日: | 2019-12-12 |
公开(公告)号: | CN111312621B | 公开(公告)日: | 2021-07-20 |
发明(设计)人: | 中根慎悟 | 申请(专利权)人: | 株式会社斯库林集团 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 向勇;宋晓宝 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 处理 以及 装置 | ||
1.一种处理腔室,用于对被处理基板实施加热处理,其中,
具有:
腔室主体,在上部具有开口,用于容纳所述被处理基板和对所述被处理基板进行加热的热源;
盖部,相对于所述开口能够开闭;以及
密封部,在相对于所述开口处于关闭状态的所述盖部与所述腔室主体之间包围所述开口来对所述盖部与所述腔室主体之间的间隙进行密封,
所述密封部具有:
主体侧密封部件,由弹性材料形成,以沿着所述开口的周围包围所述开口的方式设置于所述腔室主体;
盖侧密封部件,由弹性材料形成,设置于所述盖部的下表面中与所述主体侧密封部件相对的位置,
所述主体侧密封部件的上表面是与长度方向垂直的截面为向上凸的曲线形状的曲面,
所述盖侧密封部件的下表面是与长度方向垂直的截面为向下凸的曲线形状的曲面,
在所述关闭状态下,在所述主体侧密封部件的最上端部与所述盖侧密封部件的最下端部在水平方向上错开的状态下,通过所述主体侧密封部件与所述盖侧密封部件抵接对所述间隙进行密封。
2.如权利要求1所述的处理腔室,其中,
在俯视时,所述盖侧密封部件的最下端部相比所述主体侧密封部件的最上端部更靠内侧。
3.如权利要求2所述的处理腔室,其中,
所述盖侧密封部件在安装于所述盖部的状态下是在与长度方向垂直的截面具有环部分的中空体,该环部分与所述主体侧密封部件抵接而发生弹性变形。
4.如权利要求3所述的处理腔室,其中,
所述盖侧密封部件是通过将由弹性材料形成的带状的片体绕着与其长度方向平行的轴折返而形成所述环部分的部件。
5.如权利要求4所述的处理腔室,其中,
在俯视时,所述盖侧密封部件在所述盖侧密封部件与所述主体侧密封部件抵接的抵接位置的外侧固定于所述盖部。
6.如权利要求1至5中任一项所述的处理腔室,其中,
就所述主体侧密封部件和所述盖侧密封部件而言,相对于相同的按压力的弹性变形量相互不同。
7.如权利要求6所述的处理腔室,其中,
所述盖侧密封部件的所述弹性变形量大于所述主体侧密封部件的所述弹性变形量。
8.如权利要求1至7中任一项所述的处理腔室,其中,
所述盖部具有在俯视时相比所述盖侧密封部件与所述主体侧密封部件接触的密封位置更向外侧突出的板状体,在所述板状体上结合有在所述密封位置的外侧沿所述盖部的周缘延伸的加强构件。
9.一种基板处理装置,其中,
具有:
权利要求1至8中任一项所述的处理腔室;以及
配置于所述处理腔室的内部的作为所述热源的加热部。
10.如权利要求9所述的基板处理装置,其中,
所述加热部具有在升温后的上表面载置有被处理基板的加热板。
11.如权利要求9或10所述的基板处理装置,其中,
在所述处理腔室内具有使加热气体沿着所述盖部的下表面流通的气流形成部。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造