[发明专利]一种基于二型量子阱的双波段红外光电探测器有效
| 申请号： | 201911279951.6 | 申请日： | 2019-12-13 |
| 公开（公告）号： | CN110970514B | 公开（公告）日： | 2021-12-07 |
| 发明（设计）人： | 陈佰乐;谢宗恒 | 申请（专利权）人： | 上海科技大学 |
| 主分类号： | H01L31/0352 | 分类号： | H01L31/0352;H01L31/0304;H01L31/105 |
| 代理公司： | 上海申汇专利代理有限公司 31001 | 代理人： | 徐俊 |
| 地址： | 201210 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 基于 量子 波段 红外 光电 探测器 | ||
1.一种基于二类量子阱的双波段红外光电探测器，其特征在于，包括依次复合的InP衬底(1)、在InP衬底上生长的延长短波红外InGaAs阳极接触层(2)、延长短波红外InGaAs/GaAsSb二类量子阱吸收层(3)、延长短波红外InGaAs/GaAsSb二类量子阱阴极接触层(4)、近红外InGaAs阴极接触层(5)、近红外InGaAs吸收层(6)、近红外InGaAs阳极接触层(7)，以及两个阳极金属电极(8)及一个阴极金属电极(9)，两个阳极金属电极(8)分别与延长短波红外InGaAs阳极接触层(2)、近红外InGaAs阳极接触层(7)相接触，阴极金属电极(9)与延长短波红外InGaAs/GaAsSb二类量子阱阴极接触层(4)相接触；所述延长短波红外InGaAs阳极接触层(2)、近红外InGaAs阳极接触层(7)采用n型重掺杂的半导体材料；所述延长短波红外InGaAs/GaAsSb二类量子阱阴极接触层(4)、近红外InGaAs阴极接触层(5)采用p型重掺杂的半导体材料。
2.如权利要求1所述的基于二类量子阱的双波段红外光电探测器，其特征在于，所述双波段红外光电探测器响应0.9-1.7μm及1.7-2.8μm两个波段。
3.如权利要求1所述的基于二类量子阱的双波段红外光电探测器，其特征在于，所述延长短波红外InGaAs/GaAsSb二类量子阱吸收层(3)用于吸收用是吸收波长在1.7-2.8μm波段的光子，其由周期性重复的InGaAs和GaAsSb层构成。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
