[发明专利]一种铜互连层的制造方法在审
| 申请号： | 201911278399.9 | 申请日： | 2019-12-11 |
| 公开（公告）号： | CN111029298A | 公开（公告）日： | 2020-04-17 |
| 发明（设计）人： | 黄胜男;罗清威;李赟 | 申请（专利权）人： | 武汉新芯集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 刘晓菲 |
| 地址： | 430205 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 互连 制造 方法 | ||
1.一种铜互连层的制造方法，其特征在于，包括：
提供衬底；
所述衬底上形成介质层以及介质层中镶嵌的铜互连层；
进行铜清洁工艺，包括：在氮气和氢气的气氛中进行清洁，以利用氮气的轰击力，清除介质层表面的铜残留。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述介质层包括含碳的氧化硅。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述衬底上形成介质层以及介质层中镶嵌的铜互连层，包括：
在所述衬底上依次沉积介质层以及刻蚀停止层；
在所述介质层以及刻蚀停止层中形成刻蚀结构；
进行金属铜的填充；
以介质层为停止层，进行平坦化工艺，以在介质层中形成镶嵌的铜互连层。
4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，在形成铜互连层之后，还包括：
在所述介质层以及铜互连层上形成铜的扩散停止层。
5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述扩散停止层包括：含碳氮化硅，形成碳氮化硅的扩散停止层的方法，包括：
进行碳氮化硅的沉积工艺，沉积工艺采用的气体包括：NH3和TMS；
所述沉积工艺包括：
进行腔室的预处理，在所述预处理工艺中进行所述铜清洁工艺，所述预处理采用NH3的解离进行，以产生铜清洁工艺中的氮气和氢气；
利用NH3和TMS进行碳氮化硅的沉积。
6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，在所述预处理中，解离时的功率大于650W，持续时间大于30S。
7.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，在所述预处理中，解离时的功率范围为650-750W，持续时间的范围为30-60S。
8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在形成铜互连层之后、进行铜清洁工艺之前，还包括：
采用清洁剂进行铜残留的清洗。
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