[发明专利]用于半导体存储器中的刷新操作的设备和方法

说明书

描述了一种用于半导体存储器中的刷新操作的设备和方法以及用于其的系统。所述系统包含例如存储器库中的存储器单元，所述存储器单元在自刷新操作或自动刷新操作期间被刷新。所述自刷新操作包含与所述自动刷新操作不同的刷新激活次数。所述系统进一步包含行控制电路，所述行控制电路被配置成基于从刷新控制电路接收到的刷新控制信号来刷新所述存储器库中的所述存储器单元，所述刷新控制信号是由所述刷新控制电路基于由所述刷新控制电路从命令控制电路接收的内部控制信号而提供。所述自动刷新操作包含每个库刷新操作或所有库刷新操作，所述每个库刷新操作被配置成刷新对应存储器库，所述所有库刷新操作被配置成刷新所有存储器库。

技术领域

本公开涉及半导体存储器，更具体地涉及用于半导体存储器中的刷新操作的设备和方法。

背景技术

本公开总体上涉及半导体装置，并且更具体地涉及半导体存储器装置。具体地，本公开涉及易失性存储器，如动态随机存取存储器(DRAM)。信息可以作为物理信号(例如，电容元件上的电荷)存储在存储器的单独存储器单元上。所述存储器可以是易失性存储器，并且所述物理信号可以随时间推移而衰减(这可能使存储在存储器单元中的信息降级或被破坏)。可能需要例如通过重写信息以将物理信号恢复到初始值来周期性地刷新存储器单元中的所述信息。

随着存储器控制器已发展到容纳尺寸减小的存储器组件，刷新控制技术取得了进步，但复杂度也有所增加，从而导致需要更有效的刷新操作来完成对存储器阵列中的存储器单元的刷新。以有效且灵活的方式刷新存储器单元的各种方法已经被开发出来，并且由于对改进的存储器性能的需要将继续进行开发。

发明内容

本申请的一方面涉及一种系统，所述系统包括：存储器阵列，所述存储器阵列包含多个存储器库；命令地址输入电路，所述命令地址输入电路被配置成提供用于刷新操作的命令；命令控制电路，所述命令控制电路被配置成接收所述命令，并基于接收到的命令提供第一内部控制信号、第二内部控制信号和第三内部控制信号；刷新控制电路，所述刷新控制电路被配置成提供响应于所述第一内部控制信号、所述第二内部控制信号和所述第三内部控制信号的第一刷新控制信号；以及行控制电路，所述行控制电路被配置成接收所述第一刷新控制信号，激活所述多个存储器库中的一个存储器库的至少一个字线，并提供响应于所述第一刷新控制信号的第二刷新控制信号，其中所提供的第一内部控制信号基于振荡器信号，所提供的第二内部控制信号基于由所述命令地址输入电路提供的所述命令，并且所提供的第三内部控制信号基于所提供的第二内部控制信号和所述第二刷新控制信号中的一个控制信号。

本申请的另一方面涉及一种设备，所述设备包括：命令控制电路，所述命令控制电路被配置成提供第一至第三内部控制信号；刷新控制电路，所述刷新控制电路用于接收所述第一至第三内部控制信号，提供响应于所述第一内部控制信号的第一数量的刷新控制信号，并且提供响应于所述第二和第三内部控制信号的第二数量的刷新控制信号，其中所述第一数量和所述第二数量不同；以及行控制电路，所述行控制电路被配置成：对于自刷新操作，接收所述第一数量的刷新控制信号，并响应于接收到的第一数量的刷新控制信号而激活所述多个存储器库中的一个存储器库的至少一个字线，并且对于自动刷新操作，接收所述第二数量的刷新控制信号，并响应于所述第二数量的刷新控制信号中的每个刷新控制信号而激活所述多个存储器库中的一个存储器库的至少一个字线。

本申请的又一方面涉及一种方法，所述方法包括：响应于第一至第三内部控制信号，执行自刷新操作和自动刷新操作中的一个刷新操作；对于所述自刷新操作，响应于振荡器信号而执行第一刷新操作；对于所述自动刷新操作，当命令被接收并解码时执行所述第一刷新操作，并且所述解码命令与所述自动刷新操作相关联；以及对于所述自动刷新操作，在所述多个存储器库中的一个存储器库的至少一个字线被激活并随后被去激活之后，执行第二刷新操作。

附图说明

图1是根据本公开的实施例的半导体装置的框图。

图2是根据本公开的实施例的刷新控制路径的框图。