[发明专利]一种应用于DDS的数据合成电路有效
申请号: | 201911275139.6 | 申请日: | 2019-12-12 |
公开(公告)号: | CN111064470B | 公开(公告)日: | 2022-08-02 |
发明(设计)人: | 张涛;盛炜;张皓然 | 申请(专利权)人: | 中国电子科技集团公司第五十八研究所 |
主分类号: | H03M1/66 | 分类号: | H03M1/66 |
代理公司: | 无锡派尔特知识产权代理事务所(普通合伙) 32340 | 代理人: | 杨立秋 |
地址: | 214000 *** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 应用于 dds 数据 合成 电路 | ||
1.一种应用于DDS的数据合成电路,其特征在于,包括:
PMOS管PM1、NMOS管NM1~NM8、反相器INV和缓冲器BUFF;其中,
所述PMOS管PM1的源端接电源VDD,漏端连至NMOS管NM1、NM2、NM3和NM4的漏端并连接所述反相器INV和所述缓冲器BUFF,栅端输入DDS时钟fclk;
所述NMOS管NM1、NM2、NM3和NM4的源端分别与NMOS管NM5、NM6、NM7和NM8的漏端相连,栅端分别输入DDS的四路交织信号Adata(1)、Adata(2)、Adata(3)、Adata(4);
所述NMOS管NM5、NM6、NM7和NM8的源端均与地GND相连,栅端分别输入DDS时钟四分频fclk/4;
所述四路交织信号Adata(1)、Adata(2)、Adata(3)、Adata(4)的相位相同,数据率为fclk/4;所述NMOS管NM5栅端输入DDS时钟四分频fclk/4的相位为0,所述NMOS管NM6栅端输入DDS时钟四分频fclk/4的相位为π/2,所述NMOS管NM7栅端输入DDS时钟四分频fclk/4的相位为π,所述NMOS管NM8栅端输入DDS时钟四分频fclk/4的相位为3π/2。
2.如权利要求1所述的应用于DDS的数据合成电路,其特征在于,0相位时钟上升沿与所述PMOS管PM1栅端输入DDS时钟fclk的上升沿相位一致。
3.如权利要求1所述的应用于DDS的数据合成电路,其特征在于,所述反相器INV输出Adata(p)信号,所述缓冲器BUFF输出Adata(n)信号;
所述Adata(p)信号和所述Adata(n)信号均为差分信号,输送至后级DAC进行开关编码。
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