[发明专利]一种基于电感峰化的超宽带源随保持放大器有效

专利信息
申请号: 201911275019.6 申请日: 2019-12-12
公开(公告)号: CN111030694B 公开(公告)日: 2023-03-21
发明(设计)人: 朱樟明;赵磊;李登全;毛恒辉;刘马良;刘术彬 申请(专利权)人: 西安电子科技大学
主分类号: H03M1/12 分类号: H03M1/12;H03F1/02;H03F3/45
代理公司: 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230 代理人: 李园园
地址: 710000 陕*** 国省代码: 陕西;61
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摘要:
搜索关键词: 一种 基于 电感 宽带 保持 放大器
【权利要求书】:

1.一种基于电感峰化的超宽带源随保持放大器,其特征在于,包括:第一级驱动电路(1)和第二级采样电路(2),其中,

所述第一级驱动电路(1)根据接收的差分时钟信号对输入信号进行放大并输出第一级放大信号;

所述第二级采样电路(2)的输入端连接所述第一级驱动电路(1)的输出端,所述第二级采样电路(2)根据接收的所述差分时钟信号对所述第一级放大信号进行采样并输出第二级采样信号;

所述第二级采样电路(2)包括第一采样支路(201)和第二采样支路(202),其中,所述第一采样支路(201)的输入端连接所述第一级驱动电路(1)的第一输出端,输出端作为所述第二级采样电路(2)的第一输出端;所述第二采样支路(202)的输入端连接所述第一级驱动电路(1)的第二输出端,输出端作为所述第二级采样电路(2)的第二输出端;

所述第一采样支路(201)包括第五MOS管(M5)、第六MOS管(M6)、第七MOS管(M7)、第八MOS管(M8)、第九MOS管(M9)、第十MOS管(M10)和第十一MOS管(M11),其中,

所述第五MOS管(M5)、所述第六MOS管(M6)、所述第七MOS管(M7)、所述第八MOS管(M8)、所述第九MOS管(M9)、所述第十MOS管(M10)和所述第十一MOS管(M11)均为NMOS管;

所述第五MOS管(M5)的漏极连接电源电压端(VDD),栅极作为所述第一采样支路(201)的输入端,源极作为所述第一采样支路(201)的输出端;

所述第六MOS管(M6)的漏极连接所述第五MOS管(M5)的源极,栅极输入所述差分时钟信号的第二信号,源极连接其漏极;

所述第七MOS管(M7)的漏极连接所述第五MOS管(M5)的栅极,栅极输入所述差分时钟信号的第一信号,源极连接其漏极;

所述第八MOS管(M8)的漏极连接所述第六MOS管(M6)的源极,栅极输入所述差分时钟信号的第一信号,源极连接所述第十MOS管(M10)的漏极;

所述第九MOS管(M9)的漏极连接所述第七MOS管(M7)的源极,栅极输入所述差分时钟信号的第二信号,源极连接所述第十MOS管(M10)的漏极;

所述第十MOS管(M10)的栅极连接偏置电压端(Vb),源极连接接地端(GND);

所述第十一MOS管(M11)的漏极连接所述第五MOS管(M5)的栅极,栅极输入所述差分时钟信号的第二信号,源极连接所述接地端(GND)。

2.根据权利要求1所述的基于电感峰化的超宽带源随保持放大器,其特征在于,所述第一级驱动电路(1)为开关共源放大器。

3.根据权利要求1所述的基于电感峰化的超宽带源随保持放大器,其特征在于,所述第一级驱动电路(1)包括第一MOS管(M1)、第二MOS管(M2)、第三MOS管(M3)、第四MOS管(M4)、第一电感(L1)、第二电感(L2)、第一电阻(R1)、第二电阻(R2)、第三电阻(R3)和第四电阻(R4),其中,

所述第一MOS管(M1)、所述第二MOS管(M2)、所述第三MOS管(M3)和所述第四MOS管(M4)均为NMOS管;

所述第一MOS管(M1)的栅极作为所述第一级驱动电路(1)的第一输入端,漏极作为所述第一级驱动电路(1)的第一输出端;

所述第二MOS管(M2)的栅极作为所述第一级驱动电路(1)的第二输入端,漏极作为所述第一级驱动电路(1)的第二输出端;

所述第一电阻(R1)和所述第一电感(L1)依次串接在所述第一MOS管(M1)的漏极与电源电压端(VDD)之间;

所述第二电阻(R2)和所述第二电感(L2)依次串接在所述第二MOS管(M2)的漏极与所述电源电压端(VDD)之间;

所述第三电阻(R3)串接在所述第一MOS管(M1)的源极与所述第三MOS管(M3)的漏极之间;

所述第四电阻(R4)串接在所述第二MOS管(M2)的源极与所述第三MOS管(M3)的漏极之间;

所述第三MOS管(M3)的栅极输入所述差分时钟信号的第一信号,源极连接所述第四MOS管(M4)的漏极;

所述第四MOS管(M4)的栅极连接偏置电压端(Vb),源极连接接地端(GND)。

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