[发明专利]用于半导体制造的喷头

权利要求书

1.一种包括用于半导体制造的喷头的用于处理基板的设备，其特征在于，包括：

处理室；和

所述喷头是在所述处理室中，在所述喷头的第一区域中具有多个第一孔，所述多个第一孔具有第一孔径，并且在所述喷头的第二区域中具有多个第二孔，所述第二孔具有第二孔径；

其中，所述第一孔径不同于所述第二孔径，所述第一区域被所述第二区域包围，并且所述第一区域的面积大于所述第二区域的面积。

2.如权利要求1所述的设备，其特征在于，其中，所述第一孔径约为0.66mm至0.74mm。

3.如权利要求1所述的设备，其特征在于，其中，所述第二孔径约为0.70mm至0.76mm。

4.如权利要求1所述的设备，其特征在于，其中，所述第一区域的宽度约为210mm至250mm。

5.如权利要求1所述的设备，其特征在于，其中，所述第二区域在所述第一区域的第一侧具有第一宽度，并且所述第二区域在所述第一区域的第二侧具有第二宽度，第一区域的所述第二侧是与所述第一区域的所述第一侧相对，并且所述第二宽度不同于所述第一宽度。

6.如权利要求1所述的设备，其特征在于，其中，所述多个第一孔的每一者具有横截面，并且在所述第一区域中，所述多个第一孔的所述横截面的面积总和约为800mm²至1000mm²。

7.如权利要求1所述的设备，其特征在于，其中，所述多个第二孔的每一者具有横截面，并且在所述第二区域中，所述多个第二孔的所述横截面的面积总和约为200mm²至300mm²。

8.一种包括用于半导体制造的喷头的用于处理基板的设备，其特征在于，包括：

处理室；和

所述喷头是在处理室中，在所述喷头的第一区域中具有多个第一孔，并且在所述喷头的第二区域中具有多个第二孔；

其中，所述多个第二孔大于所述多个第一孔，所述第一区域的面积大于所述第二区域的面积，并且在所述第一区域与所述第二区域之间定义一个弓形或直的介面。

9.如权利要求8所述的设备，其特征在于，其中，所述喷头还具有多个第三孔，所述多个第三孔是在所述喷头的第三区域中，并且所述多个第三孔大于所述多个第二孔。

10.如权利要求8所述的设备，其特征在于，其中，所述喷头还具有多个第三孔，所述多个第三孔是在所述喷头的第三区域中，并且所述第三区域的面积大于所述第二区域的面积。