[发明专利]显示面板的制造方法及显示面板在审
| 申请号: | 201911268944.6 | 申请日: | 2019-12-11 |
| 公开(公告)号: | CN111129083A | 公开(公告)日: | 2020-05-08 |
| 发明(设计)人: | 唐甲;任章淳 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56;H01L27/12 |
| 代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 远明 |
| 地址: | 518132 广东省深*** | 国省代码: | 广东;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 显示 面板 制造 方法 | ||
1.一种显示面板的制造方法,其特征在于,包括:
提供一衬底层;
在所述衬底层上沉积透明电极层和第一金属层,并对所述透明电极层和所述第一金属层进行蚀刻,以形成遮光层和阳极;
在所述遮光层上依次形成缓冲层、氧化物层和绝缘层,所述缓冲层和所述绝缘层通过同一光罩形成;
在所述绝缘层上沉积第二金属层,并对所述第二金属层进行蚀刻,以形成源极、栅极和漏极;
在所述第二金属层上依次形成像素界定层、发光层和阴极层。
2.如权利要求1所述的显示面板的制造方法,其特征在于,所述衬底层包括基板以及设置于所述基板上彩膜层。
3.如权利要求2所述的显示面板的制造方法,其特征在于,所述对所述透明电极层和所述第一金属层进行蚀刻,以形成遮光层和阳极,包括:
对所述透明电极层和所述第一金属层进行蚀刻,以形成暴露所述基板的第一通孔和第二通孔,其中,位于所述第一通孔和所述第二通孔之间的透明电极层和第一金属层为遮光层;
对所述第一金属层进行蚀刻,以暴露所述彩膜层上的透明电极层,其中,所述彩膜层上的透明电极层为阳极。
4.如权利要求1所述的显示面板的制造方法,其特征在于,在在所述遮光层上依次形成缓冲层、氧化物层和绝缘层之后,在在所述绝缘层上沉积第二金属层之前,还包括:
对所述绝缘层进行蚀刻,以暴露所述氧化物层的第一部分和所述氧化物层的第二部分;
对所述第一部分和所述第二部分进行导体化,以形成有源层。
5.如权利要求4所述的显示面板的制造方法,其特征在于,所述对所述第二金属层进行蚀刻,以形成源极、栅极和漏极,包括:
对所述第二金属层进行蚀刻,以形成暴露所述第一部分的第三通孔和暴露所述第二部分的第四通孔,其中,位于所述第三通孔和所述第四通孔之间的第二金属层为栅极、位于所述栅极两侧的第二金属层为源极和漏极。
6.如权利要求4所述的显示面板的制造方法,其特征在于,还包括:
对所述绝缘层和所述缓冲层进行蚀刻,以暴露所述阳极。
7.如权利要求6所述的显示面板的制造方法,其特征在于,在所述第二金属层上依次形成像素界定层、发光层和阴极层,包括:
在所述第二金属层上形成像素界定层,并对所述像素界定层进行蚀刻,以暴露所述阳极;
在所述像素界定层上依次形成发光层和阴极层,所述发光层所述阳极相连。
8.一种显示面板,其特征在于,包括:
衬底层;
透明电极层,所述透明电极层设置于所述衬底层上;
第一金属层,所述第一金属层设置于所述透明电极层上
缓冲层,所述缓冲层设置于所述第一金属层上;
氧化物层,所述氧化物层设置于所述缓冲层上;
绝缘层,所述绝缘层设置于所述氧化物层上,所述绝缘层与所述缓冲物层通过同一光罩形成;
第二金属层,所述第二金属层设置于所述绝缘层上;
像素界定层,所述像素界定层设置于所述第二金属层上;
发光层,所述发光层设置于所述像素界定层上;
阴极层,所述阴极层设置于所述发光层上;
其中,所述透明电极层和所述第一金属层构成遮光层,所述透明电极层构成阳极,所述第二金属层构成源极、栅极和漏极。
9.如权利要求8所述的显示面板,其特征在于,所述衬底层包括基板以及设置于所述基板上彩膜层。
10.如权利要求9所述的显示面板,其特征在于,所述第一金属层上设有暴露所述基板的第一通孔和第二通孔,其中,位于所述第一通孔和所述第二通孔之间的透明电极层和第一金属层为遮光层,其中,位于所述彩膜层上的透明电极层为阳极。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





