[发明专利]一种薄膜体声波谐振器结构及其制造方法、滤波器以及双工器

权利要求书

1.一种薄膜体声波谐振器结构的制造方法，该制造方法包括：

预先确定待形成的薄膜体声波谐振器之间的连接方式，该连接方式包括下电极之间的第一连接方式以及上电极之间的第二连接方式；

刻蚀基底形成多个凹槽并在该多个凹槽内填充牺牲层；

形成覆盖所述基底和所述牺牲层的叠层结构，该叠层结构从下至上依次包括第一金属材料层、压电材料层以及第二金属材料层；

对所述叠层结构进行刻蚀，在每一所述凹槽上方形成叠层单元、以及在待形成的以所述第一连接方式进行连接的薄膜体声波谐振器所对应的所述叠层单元之间形成与其连接的第一连接部；

对刻蚀所述叠层结构所形成的区域进行填充以形成填充结构；

在所述叠层单元上形成第一上电极、以及在待形成的以所述第二连接方式进行连接的薄膜体声波谐振器所对应的所述第一上电极之间形成与其连接的第二连接部；

刻蚀去除所述第一连接部中的所述第二金属材料层；

去除所述填充结构以及所述牺牲层。

2.根据权利要求1所述的制造方法，其中，对所述叠层结构进行刻蚀、在每一所述凹槽上方形成叠层单元以及在待形成的以所述第一连接方式进行连接的薄膜体声波谐振器所对应的所述叠层单元之间形成与其连接的第一连接部的步骤包括：

在所述叠层结构上旋涂光刻胶并对该光刻胶进行图形化以形成第一光刻胶图形；

对所述叠层结构未被所述第一光刻胶图形覆盖的部分进行刻蚀直至暴露所述基底，刻蚀结束后在每一所述凹槽上方形成叠层单元以及在待形成的以所述第一连接方式进行连接的薄膜体声波谐振器所对应的所述叠层单元之间形成与其连接的第一连接部；

去除所述第一光刻胶图形。

3.根据权利要求2所述的制造方法，其中，对刻蚀所述叠层结构所形成的区域进行填充以形成填充结构的步骤包括：

在去除所述第一光刻胶图形后得到的结构上沉积填充材料，直至刻蚀所述叠层结构所形成的区域被填充；

在所述填充材料上旋涂光刻胶并对该光刻胶进行图形化以在所述区域的上方形成第二光刻胶图形；

对所述填充材料未被所述第二光刻胶图形覆盖的部分进行刻蚀直至暴露所述叠层单元，以在所述区域内形成填充结构；

去除所述第二光刻胶图形。

4.根据权利要求3所述的制造方法，其中，所述填充结构的材料和所述牺牲层的材料相同。

5.根据权利要求1所述的制造方法，其中，在所述叠层单元上形成第一上电极、以及在待形成的以所述第二连接方式进行连接的薄膜体声波谐振器所对应的所述叠层单元之间形成与其连接的第二连接部的步骤包括：

形成覆盖所述叠层单元、所述第一连接部以及所述填充结构的第三金属材料层；

对所述第三金属材料层进行刻蚀，在所述叠层单元上形成第一上电极、以及在待形成的以所述第二连接方式进行连接的薄膜体声波谐振器所对应的所述第一上电极之间形成与其连接的第二连接部。

6.根据权利要求1所述的制造方法，其中：

所述第二金属材料层和所述第三金属材料层的材料相同，其中，所述第二金属材料层的厚度范围是100nm至500nm，所述第三金属材料层的厚度范围是5nm至300nm。

7.根据权利要求1所述的制造方法，其中，去除所述填充结构以及所述牺牲层的步骤包括：

形成贯穿所述填充结构直至暴露所述牺牲层的释放通道，并通过所述释放通道去除所述填充结构以及所述牺牲层。