[发明专利]一种双电压源脉冲调制器电路及快前沿脉冲调制器

权利要求书

1.一种双电压源脉冲调制器电路，包括直流电压源单元、开关单元和负载单元，所述的开关单元包括半导体开关(4)；其特征在于：还包括高电压源单元；

所述的直流电压源单元包括直流电源(1)、充电电阻(2)、储能电容(3)和隔离二极管(14)，直流电源(1)和充电电阻(2)串联后，与储能电容(3)并联后组成直流电压源供电模块，直流电压源供电模块与隔离二极管(14)串联后跨接在半导体开关(4)的漏极D和地(9)之间；

所述的高电压源单元包括高电压电源(10)、高电压充电电阻(11)、高电压储能电容(12)和高压隔离二极管(13)，高电压电源(10)和高电压充电电阻(11)串联后，与高电压储能电容(12)并联构成高电压源供电模块，高电压源供电模块与高压隔离二极管(13)串联后跨接在半导体开关(4)的漏极D和地(9)之间；

所述的高电压电源(10)的输出电压高于直流电源(1)的输出电压。

2.根据权利要求1所述的双电压源脉冲调制器电路，其特征在于：高电压电源(10)的输出电压是直流电源(1)输出电压的1.5至10倍。

3.根据权利要求2所述的双电压源脉冲调制器电路，其特征在于：高电压电源(10)的输出电压是直流电源(1)输出电压的3倍。

4.根据权利要求1所述的双电压源脉冲调制器电路，其特征在于：所述的负载单元包括传输线电感(7)、接地电容(6)及放大器导通电阻(8)；传输线电感(7)和放大器导通电阻(8)串联，再与接地电容(6)并联构成负载单元，跨接在半导体开关(4)的源极S和地(10)之间。

5.根据权利要求1所述的双电压源脉冲调制器电路，其特征在于：所述的开关单元还包括开关控制模块(5)，开关控制模块(5)设置在半导体开关(4)的栅极G和源极S之间。

6.根据权利要求5所述的双电压源脉冲调制器电路，其特征在于：开关控制模块(5)由信号发生器、放大器和驱动器串接而成。

7.根据权利要求1所述的双电压源脉冲调制器电路，其特征在于：半导体开关(4)为N沟道MOSFET器件。

8.一种快前沿脉冲调制器，其特征在于：包括权利要求1至7任意之一的双电压源脉冲调制器电路。

9.根据权利要求8所述的快前沿脉冲调制器，其特征在于：80V脉冲电压信号的前沿为25ns。