[发明专利]电子设备

说明书

本公开提供了一种包括半导体存储器的电子设备。所述半导体存储器包括：具有基本水平的上表面的基板；第一至第N层，所述第一至第N层在所述基板上被设置成水平的层并且在垂直方向上在所述基板上方彼此间隔开，其中所述第一至第N层中的每一个包括多条导电线；绝缘层，所述绝缘层被设置成填充所述导电线之间的空间；具有侧壁的孔，所述孔在垂直方向上延伸穿过所述绝缘层并在所述导电线之间延伸，以在所述孔的侧壁中暴露所述第一至第N层的所述导电线；可变电阻层，所述可变电阻层被设置在所述孔的侧壁上；以及导电柱，所述导电柱被设置成填充在其中形成有所述可变电阻层的所述孔，其中，N为2或大于2的自然数。

相关领域的交叉引用

本申请要求于2019年7月25日提交的第10-2019-0090127号韩国专利申请的优先权，该韩国专利申请的全部内容通过引用合并于此。

技术领域

本公开的各种实施例涉及存储电路或器件以及它们在电子设备或系统中的应用。

背景技术

近来，随着电子装置趋于小型化、低功耗、高性能、多功能等，因此需要能够在各种电子装置例如计算机和便携式通信设备中存储信息的半导体器件，并且已经对具有优异的存储器储存能力和效率的半导体器件进行了研究。这种半导体器件包括可以存储数据并基于不同的施加电压或电流电平而在不同的电阻状态之间切换的设备。示例包括RRAM(电阻式随机存取存储器)设备、PRAM(相变随机存取存储器)设备、FRAM(铁电随机存取存储器)设备、MRAM(磁性随机存取存储器)设备和电熔丝(E-fuse)。

发明内容

本公开的各种实施例包括一种电子设备的各种实施方式及其制造方法，所述电子设备能够实现高集成度、提高效率并减少存储单元中的处理难度。

在一个实施例中，一种电子设备包括半导体存储器，所述半导体存储器包括：具有基本水平的上表面的基板；第一至第N层，所述第一至第N层在所述基板上被设置成水平的层并且在垂直方向上在所述基板上方彼此间隔开，其中所述第一至第N层中的每一个包括多条导电线；绝缘层，所述绝缘层被设置成填充所述导电线之间的空间；具有侧壁的孔，所述孔在垂直方向上延伸穿过所述绝缘层并在所述导电线之间延伸，以在所述孔的侧壁中暴露所述第一至第N层的所述导电线；可变电阻层，所述可变电阻层被设置在所述孔的侧壁上；以及导电柱，所述导电柱被设置成填充在其中形成有所述可变电阻层的所述孔，其中，N为2或大于2的自然数。

在另一个实施例中，一种电子设备包括半导体存储器，所述半导体存储器包括：具有基本水平的上表面的基板；第一至第N层(其中N为2或大于2的自然数)，所述第一至第N层在所述基板上被设置成水平的层并且在垂直方向上在所述基板上方彼此间隔开，其中所述第一至第N层中的每一个包括多条导电线；绝缘层，所述绝缘层被设置成填充所述导电线之间的空间；具有侧壁的孔，所述孔在垂直方向上延伸穿过所述第一至第N层的所述导电线以及在它们之间的所述绝缘层；可变电阻层，所述可变电阻层被设置在所述孔的侧壁上；以及导电柱，所述导电柱被设置成填充在其中形成有所述可变电阻层的所述孔。

在另一个实施例中，一种用于制造包括半导体存储器的电子设备的方法，所述方法包括：在基板上方在垂直方向上交替地形成具有绝缘层的第一至第N层(其中N是2或大于2的自然数)，其中所述第一至第N层中的每一个包括多条导电线；通过选择性地刻蚀所述导电线之间的绝缘层，形成具有侧壁的孔，在所述侧壁中暴露所述第一至第N层的导电线；在所述孔的侧壁上形成可变电阻层；以及形成导电柱以填充其中形成有所述可变电阻层的孔。

在附图、说明书和权利要求书中更详细地描述了这些和其他方面、实施例以及相关的优点。

附图说明

图1A至图3B是示出根据本公开实施例的半导体存储器件及其制造方法的视图。

图4A至图4C是示出根据本公开实施例的半导体存储器件及其制造方法的视图。