[发明专利]显示基板及其控制方法、显示装置有效
申请号: | 201911264298.6 | 申请日: | 2019-12-11 |
公开(公告)号: | CN110931534B | 公开(公告)日: | 2022-04-12 |
发明(设计)人: | 孔超;杨亚敏 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人: | 李浩;王莉莉 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 及其 控制 方法 显示装置 | ||
本公开提供了一种显示基板及其控制方法、显示装置,涉及显示技术领域。显示基板包括多个像素。每个像素包括第一子像素、第二子像素、第三子像素和第四子像素。第一子像素、第二子像素和第三子像素的发光颜色不同。第四子像素的发光颜色与第一子像素的发光颜色相同。在环境温度小于第一阈值的情况下,第一子像素、第二子像素、第三子像素和第四子像素均发光。在环境温度大于或等于第一阈值的情况下,第二子像素和第三子像素均发光,且第四子像素和第一子像素中的一个子像素发光。本公开可以减小显示基板在低温下的色偏现象。
技术领域
本公开涉及显示技术领域,特别涉及一种显示基板及其控制方法、显示装置。
背景技术
随着有机半导体技术的进步,有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode,简称为OLED)日益成熟,其在照明和显示等领域的应用越来越广泛。与传统的阴极射线管显示器(Cathode Ray Tube,简称为CRT)、等离子体显示器(Plasma Display Panel,简称为PDP)、液晶显示器(Liquid Crystal Display,简称为LCD)等不同,OLED显示器具有自主发光、可弯曲、宽视角、响应速度快、超轻薄、发光效率高、功耗低和工作温度宽等特点。因此,OLED显示器被认为是更有应用前景的新一代显示器。
OLED器件的外量子效率是器件向外发射的光子数与注入的电子空穴对数量之比。技术人员对获取高量子效率的努力一直没有停止。量子效率为100%的磷光发光材料已经广泛应用于OLED照明和显示器件。
发明内容
本公开的发明人发现,在低温下,显示基板会出现色偏现象。
鉴于此,本公开的实施例提供了一种显示基板,以减小显示基板在低温下的色偏现象。
根据本公开实施例的一个方面,提供了一种显示基板,包括:多个像素,每个像素包括第一子像素、第二子像素、第三子像素和第四子像素;所述第一子像素、所述第二子像素和所述第三子像素的发光颜色不同,所述第四子像素的发光颜色与所述第一子像素的发光颜色相同;其中,在环境温度小于第一阈值的情况下,所述第一子像素、所述第二子像素、所述第三子像素和所述第四子像素均发光;在所述环境温度大于或等于所述第一阈值的情况下,所述第二子像素和所述第三子像素均发光,且所述第四子像素和所述第一子像素中的一个子像素发光。
在一些实施例中,所述第一子像素的开口的面积大于所述第四子像素的开口的面积。
在一些实施例中,在所述环境温度大于第二阈值的情况下,所述第二子像素、所述第三子像素和所述第四子像素均发光,且所述第一子像素不发光,所述第二阈值大于所述第一阈值;以及在所述环境温度大于或等于所述第一阈值,且所述环境温度小于或等于所述第二阈值的情况下,所述第二子像素和所述第三子像素均发光,且所述第四子像素和所述第一子像素中的一个子像素发光。
在一些实施例中,在每个像素中,所述第一子像素、所述第二子像素、所述第三子像素和所述第四子像素处于同一行,所述第三子像素和所述第一子像素在所述第二子像素的两侧,所述第四子像素在所述第一子像素远离所述第二子像素的一侧。
在一些实施例中,每个子像素的开口形状为长条形,且所述长条形的长度方向与所述每个像素中的各个子像素的排列的行方向相交。
在一些实施例中,所述第三子像素与所述第一子像素处于第一行,所述第二子像素和所述第四子像素处于与所述第一行相邻的第二行,所述第三子像素和所述第二子像素处于第一列,所述第一子像素和所述第四子像素处于与所述第一列相邻的第二列。
在一些实施例中,每个像素包括单独的第二子像素,且每两个像素共用一个第一子像素、一个第三子像素和一个第四子像素。
在一些实施例中,每个像素包括单独的第二子像素和第四子像素,且每两个像素共用一个第一子像素和一个第三子像素。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的