[发明专利]感应加热装置和半导体加工设备

说明书

本发明提供一种感应加热装置和半导体加工设备，感应加热装置用于半导体设备中对待加热件进行加热，包括感应线圈和磁场屏蔽结构，其中，磁场屏蔽结构与感应线圈之间电绝缘设置，且磁场屏蔽结构至少对应设置在感应线圈的背离待加热件的一侧，用于将感应线圈产生的部分磁场进行屏蔽。通过本发明提供的感应加热装置和半导体加工设备，能够提高感应加热效率。

技术领域

本发明涉及半导体设备技术领域，具体地，涉及一种感应加热装置和半导体加工设备。

背景技术

目前，化学气相沉积(Chemical Vapor Deposition，CVD)是硅外延生长最常用的方法。常压化学气相沉积(Atmospheric Pressure CVD，APCVD)设备采用中频感应加热的方式，以石墨盘为发热体，通过热传导的形式为硅片提供温度条件。感应加热是利用电磁感应的方法使被加热的材料的内部产生电流，依靠这些涡流的能量达到加热目的，具有升温速度快，降温速度快的特点，而且温度均匀性可以通过调整线圈的方式加以控制。

发明内容

本发明旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提出了一种感应加热装置和半导体加工设备，能够提高感应加热效率。

为实现本发明的目的而提供一种感应加热装置，用于半导体设备中对待加热件进行加热，所述感应加热装置包括感应线圈和磁场屏蔽结构，其中，所述磁场屏蔽结构与所述感应线圈之间电绝缘设置，且所述磁场屏蔽结构至少对应设置在所述感应线圈的背离所述待加热件的一侧，用于将所述感应线圈产生的部分磁场进行屏蔽。

优选的，所述磁场屏蔽结构包括导磁件，所述导磁件中设置有凹槽，所述感应线圈的背离所述待加热件的部分设置在所述凹槽中，并且，所述凹槽与所述感应线圈之间设置有绝缘件，用以使所述感应线圈与所述导磁件电绝缘。

优选的，所述凹槽为螺旋型凹槽；构成所述感应线圈的金属线沿所述螺旋型凹槽的延伸方向缠绕。

优选的，所述凹槽的深度大于等于所述金属线的径向截面的高度的三分之一且小于等于所述金属线的径向截面的高度的一半。

优选的，所述磁场屏蔽结构的制作材料包括硅钢片、铁氧体、导磁泥中的一种或多种。

优选的，所述感应线圈的金属线至少背离所述待加热件的部分的表面上覆盖绝缘材料。

优选的，构成所述感应线圈的金属线的整个表面上均覆盖绝缘材料。

优选的，所述绝缘材料包括聚四氟乙烯。

优选的，构成所述感应线圈的金属线为方形紫铜线圈。

为实现本发明的目的，本发明还提供一种半导体加工设备，包括反应腔室和交流电源，所述反应腔室中设置有基座，其特征在于，所述半导体加工设备还包括设置在所述反应腔室外部，且与基座相对设置的感应加热装置，其中，所述感应加热装置采用如本发明提供的感应加热装置，所述感应加热装置中的所述感应线圈与所述交流电源电连接，用于对所述基座进行感应加热。

本发明具有以下有益效果：

本发明提供的感应加热装置，借助至少设置在感应线圈的背离待加热件的一侧的磁场屏蔽结构，将感应线圈产生的部分磁场束缚在磁场屏蔽结构内，以减少感应线圈产生的磁场向外扩散而未作用在待加热件上的量，从而减少感应线圈产生的磁场作用在其它物质上，而被消耗的能量，进而提高感应加热效率。

本发明提供的半导体加工设备，借助本发明提供的感应加热装置对基座进行感应加热，以能够提高感应加热效率。

附图说明

图1为现有技术中的感应加热系统的结构示意图；

图2为本发明实施例提供的感应加热装置的结构示意图；

图3为本发明实施例提供的感应加热装置和基座的结构示意图；