[发明专利]显示模块及包括显示模块的头戴式显示装置在审
| 申请号: | 201911259927.6 | 申请日: | 2019-12-10 |
| 公开(公告)号: | CN111508997A | 公开(公告)日: | 2020-08-07 |
| 发明(设计)人: | 郑礼理;严太镕 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;G02B27/01 |
| 代理公司: | 北京钲霖知识产权代理有限公司 11722 | 代理人: | 李英艳;玉昌峰 |
| 地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 显示 模块 包括 头戴式 显示装置 | ||
显示模块包括:多个发光元件;以及,密封部件,密封所述多个发光元件。所述密封部件包括包含透明物质的基部以及覆盖层。所述覆盖层与所述基部的一面接触,所述覆盖层包括多个第一图案及多个第二图案,所述多个第一图案分别以第一深度凹刻,所述多个第二图案分别以不同于所述第一深度的第二深度凹刻。
技术领域
本公开涉及一种显示模块及包括显示模块的显示装置,具体地涉及一种戴在使用者的头上的头戴式显示装置。
背景技术
头戴式显示装置作为戴在头上的显示装置,可为了实现增强现实(augmentedreality)或虚拟现实(Virtual reality)而使用。用于实现增强现实的头戴式显示装置可通过半透明的显示器来提供虚拟的图形影像。此时,使用者可同时视认虚拟的图形影像及实际的事物。用于实现虚拟现实的头戴式显示装置是通过使用者的眼睛来提供虚拟的图形影像。使用者可通过虚拟的内容来体验虚拟现实。
纱窗效应(Screen-door effect,SDE)是使用者通过显示装置视认的噪声图案的一种,也称为固定图案噪声(Fixed-pattern noise)。纱窗效应(Screen-door effect,SDE)是在像素内因发光元件的中心部与周边部的亮度差而产生,如果因纱窗效应(Screen-dooreffect,SDE),像素间的交界部被使用者所视认,则显示质量会降低。
与普通的平板型显示装置相比,头戴式显示装置给使用者提供更宽范围的视野,因此在头戴式显示装置中纱窗效应(Screen-door effect,SDE)引起的显示质量的降低会发生的更大。
发明内容
本公开的目的在于提供一种纱窗效应(Screen-door effect,SDE)减少的显示模块及头戴式显示装置。
根据本公开的一实施例的显示模块可包括:多个发光元件;以及,密封部件,密封所述多个发光元件。所述密封部件可包括包含透明物质的基部以及覆盖层。可以是,所述覆盖层与所述基部的一面接触,所述覆盖层包括多个第一图案及多个第二图案,所述多个第一图案分别以第一深度凹刻,所述多个第二图案分别以不同于所述第一深度的第二深度凹刻。
在本公开的一实施例中,可以是,所述覆盖层包含二氧化硅。
根据本公开的一实施例,可以是,所述多个第一图案与所述多个第二图案彼此交替配置。
在本公开的一实施例中,可以是,所述基部的厚度为100μm以上且300μm以下,所述覆盖层的厚度为500nm以上且600nm以下,所述第一深度及所述第二深度分别为100nm以上且200nm以下。
在本公开的一实施例中,可以是,所述第二深度大于所述第一深度,所述第二深度与所述第一深度之差为70nm以上且90nm以下。
在本公开的一实施例中,可以是,所述覆盖层包括多个第三图案,所述多个第三图案分别以不同于所述第一深度及所述第二深度的第三深度凹刻,所述第三深度为100nm以上且200nm以下。
在本公开的一实施例中,可以是,所述第一深度、所述第二深度及所述第三深度中具有最大值的深度与具有最小值的深度之差为70nm以上且90nm以下。
在本公开的一实施例中,可以是,所述多个第一图案、所述多个第二图案及所述多个第三图案彼此交替配置。
在本公开的一实施例中,可以是,所述多个第二图案分别配置在所述多个第一图案中任一个与所述多个第三图案中任一个之间。
在本公开的一实施例中,可以是,所述覆盖层中定义所述多个第一图案及所述多个第二图案中至少任一个的内侧面与所述基部形成的角度为60度以上且85度以下。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





