[发明专利]一种利用强磁场手段制备聚合物-碳纳米复合材料取向薄膜的方法

权利要求书

1.一种利用强磁场手段制备聚合物-碳纳米复合材料取向薄膜的方法，其特征在于：包括如下步骤：

（1）将石墨烯分散液和π共轭聚合物分散液混合后，在超声条件下分散均匀得到混合物料；所述π共轭聚合物为N2200、PDPP2T-TT中的一种；

（2）将混合物料旋涂在硅片上得到湿膜，将涂覆有湿膜的硅片放置到磁场中，使湿膜所在的平面与磁场的方向平行；

（3）步骤（2）处理得到的湿膜进行退火处理后，得到聚合物-碳纳米复合材料取向薄膜。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：步骤（1）中，所述石墨烯分散液是将石墨粉分散在二氯苯中，经过超声处理、离心分离得到的；所述π共轭聚合物分散液是将π共轭聚合物分散在二氯苯中得到的。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：步骤（2）中，所述涂覆有湿膜的硅片首先放置在含有挥发性溶剂的密闭容器内，且湿膜与挥发性溶剂不直接接触；然后将密闭容器放到磁场中；所述密闭容器包括壳体以及用于盖合壳体的密封盖，所述壳体的底部放置有托架，所述托架的顶面开设有用于放置硅片的定位槽。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于：所述托架的材质为聚四氟乙烯。

5.根据权利要求3所述的方法，其特征在于：所述挥发性溶剂为二氯苯。