[发明专利]逆变器和用于测量电机中的相电流的方法

权利要求书

1.一种用以耦合到电机的三个相绕组的DC-AC逆变器系统，所述逆变器系统包括：

第一开关支路，耦合在DC电源电压节点与中间节点之间，所述第一开关支路具有用以耦合到所述电机的第一相绕组的第一端子；

第二开关支路，耦合在所述DC电源电压节点与所述中间节点之间，所述第二开关支路具有用以耦合到所述电机的第二相绕组的第二端子；

第三开关支路，耦合在所述DC电源电压节点与所述中间节点之间，所述第三开关支路具有用以耦合到所述电机的第三相绕组的第三端子；

分流电阻器，耦合在所述中间节点与接地之间；

控制电路，被配置为根据空间矢量脉宽调制(SVPWM)方案，向所述第一开关支路、所述第二开关支路和所述第三开关支路施加控制信号，以使得所述逆变器系统利用三相AC功率信号来驱动所述电机的所述第一相绕组、所述第二相绕组和所述第三相绕组；

其中所述SVPWM方案被划分为六个扇区，其中每个扇区被划分为多个时段；

其中所述控制电路被配置为在所述SVPWM方案的至少一些扇区期间：

在第二时段期间：

测量跨所述分流电阻器的分流电压；以及

测量第一校准晶体管的漏极到源极电压，所述第一校准晶体管是给定开关支路的晶体管；

在第四时段期间：

测量所述第一校准晶体管的所述漏极到源极电压；以及

测量被测量晶体管的漏极到源极电压，所述被测量晶体管是下一开关支路的晶体管；

根据所述分流电阻器的电阻、在所述第二时段期间所测量的所述第一校准晶体管的所述漏极到源极电压、以及在所述第二时段期间所测量的所述分流电压，确定所述第一校准晶体管的漏极到源极电阻；

根据在所述第四时段期间所测量的所述第一校准晶体管的所述漏极到源极电压、以及所述第一校准晶体管的所述漏极到源极电阻，确定耦合到所述给定开关支路的给定相绕组的相电流；

根据在所述第四时段期间所测量的所述被测量晶体管的所述漏极到源极电压、以及从所述SVPWM方案的在先扇区已知的所述被测量晶体管的漏极到源极电阻，确定耦合到所述下一开关支路的下一相绕组的相电流；以及

根据所述给定相绕组的所述相电流和所述下一相绕组的所述相电流，确定耦合到其余开关支路的其余相绕组的相电流。

2.根据权利要求1所述的DC-AC逆变器系统，其中所述第一校准晶体管是所述给定开关支路的低侧晶体管；并且其中所述被测量晶体管是所述下一开关支路的低侧晶体管。

3.根据权利要求1所述的DC-AC逆变器系统，其中所述控制电路将所述第一校准晶体管的所述漏极到源极电阻确定为：

其中Rshunt是所述分流电阻器的电阻，V1phase2是在所述第二时段期间所测量的所述第一校准晶体管的所述漏极到源极电压，并且Vshunt2是在所述第二时段期间所测量的所述分流电压。

4.根据权利要求3所述的DC-AC逆变器系统，其中所述控制电路将所述给定相绕组的所述相电流确定为：

Iphase1＝V1phase4/Rds(校准晶体管)

其中V1phase4是在所述第四时段期间所测量的所述第一校准晶体管的所述漏极到源极电压，并且Rds(校准晶体管)是所述第一校准晶体管的所述漏极到源极电阻。

5.根据权利要求4所述的DC-AC逆变器系统，其中所述控制电路将所述下一相绕组的所述相电流确定为：

Iphase2＝V2phase4/Rds(被测量晶体管)

其中V2phase4是在所述第四时段期间所测量的所述被测量晶体管的所述漏极到源极电压，并且Rds(被测量晶体管)是从在先的SVPWM扇区已知的所述被测量晶体管的所述漏极到源极电阻。

6.根据权利要求5所述的DC-AC逆变器系统，其中所述控制电路将所述其余相绕组的所述相电流确定为：

Iphase3＝-(Iphase1+Iphase2)。