[发明专利]有机发光二极管显示装置及其制造方法在审
申请号: | 201911259040.7 | 申请日: | 2019-12-10 |
公开(公告)号: | CN111326551A | 公开(公告)日: | 2020-06-23 |
发明(设计)人: | 文炳俊;李昇眩 | 申请(专利权)人: | 乐金显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L21/66;G09G3/00 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 王萍;杨林森 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 有机 发光二极管 显示装置 及其 制造 方法 | ||
提供了有机发光二极管显示装置及其制造方法。有机发光二极管显示装置包括:基板;在基板上的多个驱动元件和多个发光二极管;以及在基板上的至少一个伪图案,所述至少一个伪图案包括第一电极、伪层和第二电极,其中第一电极和伪层彼此电分离。
相关申请的交叉引用
本申请要求于2018年12月17日提交于韩国的韩国专利申请第10-2018-0163437号的优先权权益,通过引用,该专利申请的全部内容并入本文以用于所有的目的,如同在本文中完全阐述一样。
技术领域
本公开内容涉及有机发光二极管显示装置,并且更具体地,涉及其中发光层的布置方面的制造稳定性得到改善的有机发光二极管显示装置以及制造该有机发光二极管显示装置的方法。
背景技术
有机发光二极管(OLED)显示装置是发射型显示装置。因为OLED显示装置不包括单独的光源,所以OLED显示装置具有不同于液晶显示(LCD)装置的轻的重量和薄的轮廓。此外,由于低电压驱动、优异的颜色再现性、响应速度和对比度,OLED显示装置具有功耗方面的优势。因此,OLED显示装置已经被作为下一代显示装置进行研究。
因为OLED显示装置包括多个像素并且由于电子和空穴被注入至每个像素中的发光层中而发射光,所以需要施加至OLED装置的电流的均匀供应。OLED显示装置的每个像素包括彼此交叉的数据线和栅极线、连接至数据线和栅极线的驱动元件、以及发光元件。与具有非晶硅的半导体层的非晶TFT相比具有更快的电子迁移率并且与具有多晶硅的半导体层的多晶硅TFT相比具有更简单的制造过程和更低的制造成本的具有氧化物半导体的半导体层的氧化物薄膜晶体管(TFT)已经被作为驱动元件广泛研究。
可以通过真空蒸发方法、激光转移方法、热转移方法、丝网印刷方法和喷墨印刷方法来布置发光层。喷墨印刷方法已经被广泛研究。例如,与其中气态化合物在真空状态下反应的真空蒸发方法相比,其中与将墨喷射在纸上类似的将等于或小于几十皮升(10-12升)的有机材料溶液进行喷射以布置发光层的喷墨印刷方法具有更高的材料效率。然而,在布置过程期间,在布置位置的精确控制和布置量的精细调节方面存在困难。
发明内容
因此,本公开内容的实施方式涉及基本上消除了由于相关技术的限制和缺点而引起的问题中的一个或更多个问题的有机发光二极管显示装置以及制造该有机发光二极管显示装置的方法。
本公开内容的一个方面是提供一种有机发光二极管显示装置以及制造该有机发光二极管显示装置的方法,在该有机发光二极管显示装置中发光层的沉积过程期间的沉积位置的误差被最小化或减少。
本公开内容的另一方面是提供一种有机发光二极管显示装置以及制造该有机发光二极管显示装置的方法,在该有机发光二极管显示装置中发光层的沉积过程期间的发光层的沉积范围的误差被最小化或减少。
本发明的附加特征和优点将在下面的描述中进行阐述,并且将部分地根据描述而变得明显,或者可以通过本发明的实践来了解。本发明的这些优点和其他优点将通过在书面描述和其权利要求以及附图中特别指出的结构来实现和获得。
为了实现这些优点和其他优点,并且根据本公开内容的目的,如本文所体现和广泛描述的,一种有机发光二极管显示装置包括:基板;在基板上的多个驱动元件和多个发光二极管;以及在基板上的至少一个伪图案(dummy pattern),所述至少一个伪图案包括第一电极、伪层和第二电极,其中,第一电极和伪层彼此电分离。
在另一方面中,一种制造有机发光二极管显示装置的方法包括:将驱动元件、发光二极管和至少一个伪图案布置在基板上,该至少一个伪图案包括第一电极、伪层以及在第一电极和伪层上的第二电极;并且检测发光二极管的布置状态,其中,检测发光二极管的布置状态包括通过向所述至少一个伪图案的第一电极和第二电极施加电流来根据从所述至少一个伪图案的光发射来检测误差。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的