[发明专利]用于给HTS匀场装置充电的方法和磁体布置系统有效
| 申请号: | 201911258414.3 | 申请日: | 2019-12-10 |
| 公开(公告)号: | CN111292914B | 公开(公告)日: | 2021-11-09 |
| 发明(设计)人: | K·J·古恩特;R·绍韦克尔 | 申请(专利权)人: | 布鲁克瑞士股份公司 |
| 主分类号: | H01F6/00 | 分类号: | H01F6/00;H01F6/06 |
| 代理公司: | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人: | 俄旨淳 |
| 地址: | 瑞士*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 用于 hts 装置 充电 方法 磁体 布置 系统 | ||
1.用于利用充电装置(1、1’)给设置在带有室温孔(4)的低温恒温器(3)中的超导电磁线圈系统的HTS匀场装置(2)充电的方法,所述HTS匀场装置(2)包括n1个超导闭合的HTS匀场导体线路(C1、…、Cn),所述HTS匀场导体线路分别带有用于在相应的HTS匀场导体线路(C1、…、Cn)的一个部段中暂时中断超导状态的匀场开关(S1、…、Sn),这些HTS匀场导体线路(C1、…、Cn)与所述匀场开关(S1、…、Sn)分别形成一个次级电路,所述次级电路的各所述HTS匀场导体线路(C1、…、Cn)感应式地相互耦合,
其特征在于,
所述充电装置(1、1’)包括至少一个常导的充电线圈(P1、...、Pm)、至少一个供能装置(7)和供电线路(6)并且所述充电装置构成至少一个初级电路,
通过由充电线圈(P1、...、Pm)产生的穿过由HTS匀场导体线路(C1、…、Cn)包围的面的磁通量的变化感应式地使次级电路中的电流变化,
在第一阶段(Ph1)中按任意的顺序:
·至少暂时断开所述匀场开关(S1、…、Sn),以便在HTS匀场导体线路(C1、…、Cn)的一个部段中中断超导状态;
·将充电线圈(P1、...、Pm)定位到低温恒温器(3)的室温孔(4)中;并且
·至少使初级电路中的电流发生改变;
在第二阶段(Ph2)中,通过闭合所述匀场开关(S1、…、Sn)使HTS匀场导体线路(C1、…、Cn)超导闭合;并且
在第三阶段(Ph3)中,在所述匀场开关(S1、…、Sn)闭合的情况下,改变初级线圈中的电流和/或将充电线圈(P1、...、Pm)从室温孔(4)中移出,
确定各次级电路的匀场开关(S1、…、Sn)的开关断开和开关闭合的次序和初级电路中的电流变化的次序,
在所确定的次序之内,一个次级电路的匀场开关(S1、…、Sn)的每个最后一次闭合之后,执行对初级电路中的电流的改变,对于各过程的所确定的次序,这样来计算在初级电路中的电流变化的大小,即,使得所有通过改变初级电路中的电流和通过开关断开而在每个次级电路中感应产生的电流的和对应于期望电流,此时对HTS匀场导体线路(C1、…、Cn)相互间的感应耦合和充电线圈(P1、...、Pm)与HTS匀场导体线路(C1、…、Cn)之间的感应耦合加以考虑。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,在第一阶段(Ph1)中,为了调整初级电路中的电流,使初级电路中的电流升高,并且
为了适应性调整初级电路中的电流,在第三阶段(Ph3)中使初级电路中的电流降低。
3.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,为了对次级电路进行放电,在第一阶段(Ph1)中,在次级电路超导短路闭合时,这样调整充电线圈(P1、...、Pm)中的电流,使得次级电路中的电流降低到0。
4.根据权利要求1至3之一所述的方法,其特征在于,在第一阶段(Ph1)中,在匀场开关(S1、…、Sn)断开之后实现初级电路中的电流的至少一次改变。
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