[发明专利]一种新型弯曲不敏感G657单模光纤及其制作方法

权利要求书

1.一种新型弯曲不敏感G657单模光纤，其特征在于，其下陷的斜坡型折射率分布区有一个导光界面，其界面折射率由内向外,从大到小，形成导光界面，则：

；

其中，Δ为掺有GeO₂的纤芯和纯SiO₂内包层的相对折射率，为掺有GeO₂的纤芯折射率, 为纯SiO₂内包层折射率；

掺有GeO₂的纤芯直径为8.2 μm，掺氟斜坡型折射率环沟型下陷包层和纯SiO₂内包层基面的相对折射率差：

；

其中，为掺氟斜坡型折射率环沟型下陷包层折射率；掺氟斜坡型折射率环沟型下陷包层内半径为9μm , 掺氟斜坡型折射率环沟型下陷包层外半径为20μm；纯SiO₂外包层直径为125 μm。

2.一种基于权利要求1所述的新型弯曲不敏感单模光纤的制造方法，其特征在于，其操作步骤如下:

用VAD法制作纤芯及内包层：

将已沉积掺有GeO₂的纤芯及纯SiO₂内包层的多孔质母材在反应容器内向上提升，底部沉积面始终保持在掺有GeO₂的芯棒喷灯头与纯SiO₂内包层喷灯头之间的位置；反应容器内通入净化空气，反应容器一侧排气管道中排放泵保证其内部压力稳定；掺有GeO₂的芯棒喷灯头用于沉积掺有GeO₂的纤芯，而纯SiO₂内包层喷灯头用于沉积纯SiO₂内包层；将制成的掺有GeO₂的纤芯及纯SiO₂内包层的多孔质母材经烧结脱水为掺有GeO₂的纤芯及纯SiO₂内包层的透明体；

所述掺有GeO₂的芯棒喷灯头内GeO₂和SiO₂的比例为0.8~1.5:22~25，其喷出质量为34~40g/min，火焰温度为1750~1800℃，排放泵排出废气，反应容器内部压力为4~6pa，沉积后的掺有GeO₂的纤芯及纯SiO₂内包层的多孔质母材表面温度为1000~1100℃，旋转速度保持为20r/min，且位置偏差应为50μm；

2)用OVD法制作掺氟斜坡型折射率环沟型下陷包层；

首先，用OVD法制作环沟形下陷包层Si0₂管在大直径靶棒上用火炬喷灯进行材料供给沉积环沟形下陷包层SiO₂的多孔管，然后将制成的环沟形下陷包层Si0₂的多孔管放入第一加热炉内, 在环沟形下陷包层Si0₂多孔管内通含氟气体，同时在环沟形下陷包层多孔体外通氦气和氯气，最后烧结成掺氟斜坡型折射率环沟型下陷包层玻璃管，并经拉伸-切断后进入下道工序；

3)在掺氟斜坡型折射率环沟型下陷包层玻璃管外沉积纯SiO₂外包层多孔体；

将上述掺氟斜坡型折射率环沟型下陷包层玻璃管作为靶棒，在该靶棒外用火炬喷灯进行材料供给沉积纯SiO₂外包层，形成纯SiO₂外包层多孔体；

4）在掺氟斜坡型折射率环沟型下陷包层玻璃管内插入预先制作好的掺有GeO₂的纤芯及纯硅内包层透明体，烧成一体；

将上述纯SiO₂外包层多孔体移到第二加热炉内，将一根预先制作好的掺有GeO₂的纤芯及纯硅内包层透明体插入掺氟斜坡型折射率环沟型下陷包层玻璃管内，在第二加热炉内通以氦气和氯气进行干燥脱水；使掺氟斜坡型折射率环沟型下陷包层玻璃管向内辐向压在掺有GeO₂的纤芯及纯SiO₂内包层芯棒上，即熔接成整体预制棒；

5）光纤拉丝：将上述预制棒在光纤拉丝塔上拉制成光纤。

3.根据权利要求2所述的制造方法，其特征在于，所述含氟气体为SiF₄、CF₄或C₂F₆。